[发明专利]第Ⅲ族元素氮化物层的单步骤悬挂和侧向外延过生长

摘要

一种在衬底上制造氮化镓基半导体结构的方法,包含下列步骤直接在衬底(18)上形成具有至少一个开口(6)的掩模(14),使缓冲层(12)穿过开口生长,使氮化镓层(20)从缓冲层向上生长并沿掩模侧向生长。在氮化镓从掩模中进行的生长过程中,氮化镓层的垂直生长速率和侧向生长速率保持足够大的速率,以防止在所述掩模上形核的多晶材料(30)阻止氮化镓层的侧向生长。另一实施例中的方法包含如下步骤在衬底上形成限定邻近沟槽(18)的至少一个高出部分(15),并在衬底(10)上形成掩模(14),在高出部分的上表面上,该掩模具有至少一个开口(16)。可以使缓冲层(12)从高出部分的上表面生长。然后通过在沟槽上悬挂外延使氮化镓层(26)侧向生长。

主权项

1.一种在衬底上制造氮化镓基半导体结构的方法，包含：在所述衬底上形成具有开口的掩模；垂直于开口并侧向经过掩模生长外延层，该外延层选自氮化镓和氮化镓的第III族元素氮化物合金；并且使所述外延层的侧向生长速率保持足够的速率，以防止在掩模上形核的多晶氮化物材料阻止所述外延层的侧向生长。