[发明专利]多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件有效
| 申请号： | 00810925.7 | 申请日： | 2000-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1365513A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 木村嘉伸;贺茂尚广;金子好之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过在绝缘衬底的表面上形成非晶半导体膜、然后用激光束照射非晶半导体使非晶半导体膜结晶、从而形成多晶半导体薄膜、然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管的制造半导体器件的方法,其特征在于,将UV射线照射到绝缘衬底的背面和非晶半导体膜以将非晶半导体膜加热到熔融温度或更低的温度,以形成大多数具有数字6的最接近晶粒的晶粒的适当的形状选择激光能量密度Ec照射非晶半导体的表面,将其转化为多晶半导体薄膜,然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管。可以制造能高速运行的高生产率的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 半导体 薄膜 衬底 及其 制造 方法 半导体器件 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶半导体薄膜衬底，包括：绝缘衬底和形成在绝缘衬底表面上的多晶半导体薄膜，其特征在于，其中在形成多晶半导体薄膜的多个晶粒中，具有数字6的最接近晶粒的晶粒数是最多的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
