[发明专利]钒不占主导的半绝缘碳化硅有效
| 申请号： | 00807706.1 | 申请日： | 2000-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1351680A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | C·H·小卡特;M·布拉迪;V·F·茨维特科夫 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一个半绝缘碳化硅体单晶材料,在室温下其电阻率至少为5000Ω－cm,其深能级陷阱元素的浓度比影响这个材料的电阻率的浓度值低,优选地比可检测浓度低,也公开了形成这个晶体的一个方法,和某些产生的器件,这些器件利用了使用根据本发明衬底而形成的微波频率能力。 | ||
| 搜索关键词： | 钒不占 主导 绝缘 碳化硅 | ||
【主权项】：
1.一种半绝缘碳化硅体单晶材料，在室温下其电阻率至少为5000Ω-cm，其深能级陷阱元素的浓度比影响这种晶体的电气性能的浓度值低。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00807706.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
