[发明专利]自钽卤化物前体获得整体式的钽和钽氮化物膜的化学气相沉积方法无效
| 申请号： | 00806872.0 | 申请日： | 2000-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1150348C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 约翰·J·豪塔拉;约翰内斯·F·M·韦斯滕多普 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;H01L21/285;C23C16/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了一种从无机五卤化钽(TaX5)前体和氮气中沉积形成高质量的保形钽/钽氮化物(Ta/TaNx)双层膜的化学气相沉积(CVD)法。该无机钽卤化物前体是五氟化钽(TaF5)，五氯化钽(TaCl5)和五溴化钽(TaBr5)。TaX5蒸气被输送到一个加热的反应室(11)中。该蒸气与一种工艺气体混合沉积形成钽膜，并且与一种含氮的工艺气体混合沉积形成TaNx膜到被加热到300℃-500℃的基片(23)上。所沉积的Ta/TaNx双层膜对含铜膜、尤其是在小的纵横特性的集成电路非常有用。这些膜的高保形性优于由物理气相沉积法(PVD)沉积形成的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 卤化物 获得 整体 氮化物 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在基片(23)上沉积形成钽/钽氮化物膜的方法，包括：不使用载气地向含有所述基片的反应室(11)提供一种选自由五氟化钽、五氯化钽和五溴化钽组成的组的钽卤化物前体的蒸气，所述的前体蒸气是通过将所述前体的温度升高到足以气化该前体的温度而产生的，然后将所述的蒸气与工艺气体混合以沉积形成所述的钽膜，然后将所述的蒸气与含氮的工艺气体混合以沉积形成所述的钽氮化物膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
