[发明专利]掺杂镁的III－V氮化物及其制法无效
| 申请号： | 00805680.3 | 申请日： | 2000-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1409778A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 | 申请（专利权）人： | CBL技术公司;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/14;C30B25/18;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 严舫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 掺杂镁的高质量III－V氮化物层及其制法。一种P型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延(HVPE)方法在兰宝石基片上生产，HVPE过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和III族金属(Ga，In，Al)。氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可从兰宝石基片上取下以提供一种掺杂镁的P型III－V氮化物基片，后者具有低位密度并适用于制造，例如，发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 iii 氮化物 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种制造P型氮化物层的方法，包括以下一些步骤：a)提供包括一反应器在内的HVPE系统；b)将基片安置在反应器中；以及c)将反应剂气体导入反应器中，其中反应剂气体包括第一反应剂气体组份，该第一反应剂气体组份是由HCl通过III族金属和镁制备的。
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