[发明专利]化学汽相淀积反应器的压力平衡系统

摘要

用于平衡在闸门两侧的压力的系统,该闸门有选择地阻断将芯片处理室连通于反应器的工艺室的阀口,以便在位于工艺室中的半导体芯片上沉积晶膜层。该系统包括一种将工艺室连通于芯片处理室的旁路,以便当闸门阻断该阀口(该阀口将芯片处理室连通于反应器的工艺室)时在工艺室和芯片处理室之间输运气体来平衡在工艺室和芯片处理室之间的压力。该系统还包括一种选择性控制气流通过旁路的沿旁路上设置的旁通阀。另外,该系统包括沿着旁路设置的用于限制气体流过该旁路的限流器,以便限制在工艺室和芯片处理室中的压力变化速率。

主权项

1.一种平衡闸门两侧压力的系统，该闸门经过调整有选择地阻断将芯片处理室连通于反应器的工艺室的阀口，以便通过化学汽相淀积方法在位于工艺室中的半导体芯片上沉积晶膜层，该系统包括：一种将工艺室连通于芯片处理室的旁路，以便当闸门阻断所述的将芯片处理室连通于反应器的工艺室的阀口时在工艺室和芯片处理室之间输运气体来平衡在工艺室和芯片处理室之间的压力；沿着旁路设置的有选择地控制气体流过该旁路的旁通阀，该旁通阀具有开通位置，在此位置时气体被允许流过旁路来平衡在工艺室和芯片处理室之间的压力，和具有关闭位置，在此位置时气体被阻止流过旁路以便在化学汽相淀积过程中来将工艺室与芯片处理室分隔开；和沿旁路上设置的限流器，用于当旁通阀处于开通位置时限制气体流过该旁路以便限制工艺室和芯片处理室中的压力变化速率，从而限制流过该旁路的气流的最大速度。