[发明专利]强电介质存储元件及其制造方法

摘要

一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。

主权项

1.一种强电介质存储元件的制造方法，该存储元件具备第1电极、强电介质膜和第2电极的层叠结构的电容器部分，其特征是，具有：在基体材料的表面上形成具有优先地堆积用于形成构成所述电容器部分的第1电极、强电介质膜和第2电极的至少一个构件的材料的表面特性的第1区域和形成与所述第1区域比较具有难于堆积用于形成构成所述电容器部分的至少一个构件的材料的表面特性的第2区域的工序；以及，提供用于形成构成所述电容器部分的至少一个构件的材料，并在所述第1区域上有选择地形成该构件的工序；对所述基体材料进行电极材料的成膜，在所述基体材料的所述第1区域上形成所述第1电极；对所述基体材料进行强电介质材料的成膜，在所述第1电极上形成所述强电介质膜；对所述基体材料进行电极材料的成膜，在所述强电介质膜上形成所述第2电极；在所述第1区域上，使所述基体材料的表面露出；在所述第2区域上作成由表面修饰膜覆盖了的表面，所述表面修饰膜是与用于进行所述电极材料及强电介质材料成膜的材料的亲和性比在所述基体材料的第1区域中露出面的亲和性低的膜。