[实用新型]单电子三极管存储器无效
| 申请号： | 00229474.5 | 申请日： | 2000-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN2447913Y | 公开（公告）日： | 2001-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李志扬;刘武 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430079*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型的主要结构如附图所示，其中电极1、电极4与纳米量子点5分别组成两个串联隧道结。通过一个脉冲电压Vp使得n个电子隧道进入纳米量子点6，实现电学“写”。通过电流I检测纳米量子点6上所存储电子的多少，实现电学“读”。本实用新型结构简单，可采用金属材料制作，从而突破了对半导体工艺的依赖，以其为基本单元可制作超高密度、超快速度、超低功耗的大规模存储器。适用于集成电路芯片、计算机CPU、计算机内存、军用、工业和民用电子仪器仪表等许多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 三极管 存储器 | ||
【主权项】：
1．一种单电子三极管存储器，其特征在于它由电极1、4、7、纳米量子点5、6、导线2、3、8构成，电极1、电极4与纳米量子点5分别相隔纳米量级，构成两个串联隧道结，纳米量子点6与纳米量子点5和电极7也分别相隔纳米量级，纳米量子点6可由一列沿纳米量子点5与电极7的连线方向排列的多个量子点代替，所有这些电极、纳米量子点和导线可处于一个平面上，互成一定角度，或分处于数个平面上。
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