[实用新型]单晶硅衬底双面抛光片无效
| 申请号： | 00224737.2 | 申请日： | 2000-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN2423655Y | 公开（公告）日： | 2001-03-14 |
| 发明（设计）人： | 喻勤建;邓建伟;周理明 | 申请（专利权）人： | 喻勤建;邓建伟;周理明 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 湖南省衡阳市专利事务所 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 421007 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开的一种用于制造高性能的半导体器件和集成电路的单晶硅衬底双面抛光片,其单晶硅衬底(1)的双面具有抛光层(2)、(3),且双面的抛光层(2)、(3)同片总厚度变化ΔTTV<10um。采用这种单晶硅衬底双面抛光片制造的半导体器件和集成电路的电性能一致好、稳定,因而可以用来生产高质量的双向闸管、放电管。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 衬底 双面 抛光 | ||
【主权项】：
1、单晶硅衬底双面抛光片，特征是所述单晶硅衬底(1)的双面具有抛光层(2)、(3)，且双面的抛光层(2)、(3)同片总厚度变化△TTV＜10um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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