[实用新型]一种分子束源炉无效
| 申请号： | 00211739.8 | 申请日： | 2000-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN2425427Y | 公开（公告）日： | 2001-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李重茂;谢琪;赵科新;谢淑珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 朱光林,周秀梅 |
| 地址： | 110003 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及分子束外延技术,具体地说是一种分子束源炉。由钽筒、坩埚、加热丝、炉座、测温元件及支架组成,其中钽筒为多层结构,最外层钽筒罩坩埚于上炉座内,最内层钽筒无上下底,自上而下分为多段,每两段之间安设一绝缘环于坩埚外壁,每层钽筒的一侧设有固定间距用凸台;所述位于坩埚和最里层钽筒之间的加热丝经罗列安排两两依次穿插于绝缘环上的偏孔里。本实用新型源炉保温效果稳定,生产半导体薄膜质量好,使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 束源炉 | ||
【主权项】：
1．一种分子束源炉，由钽筒、坩埚、加热丝、炉座、测温元件及支架组成，其中钽筒(1)安装在上、下炉座(41、42)上，测温元件(3)兼为坩埚托架，通过下、上炉座(42、41)安装在位于钽筒(1)里的坩埚(2)底部，所述加热丝(6)通过下、上炉座(42、41)设置在钽筒(1)和坩埚(2)之间，所述支架(5)一端安装在法兰上，另一端固定在下、上炉座(42、41)上，所述上、下炉座(41、42)之间设有屏蔽层(43)，其特征在于：钽筒(1)为多层结构，最外层钽筒(11)罩坩埚(2)于上炉座(41)内，最内层钽筒(12)无上下底，自上而下分为多段，每两段之间安设一带偏孔(71)的绝缘环(7)于坩埚(2)外壁，每层钽筒(1)的一侧设有固定间距用凸台；所述位于坩埚(2)和最里层钽筒(12)之间的加热丝(6)经罗列安排两两依次穿插于绝缘环(7)上的偏孔(71)里。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
