[发明专利]半导体层的形成方法无效
| 申请号： | 00137299.8 | 申请日： | 2000-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1302082A | 公开（公告）日： | 2001-07-04 |
| 发明（设计）人： | 田中悟;武内道一;青柳克信 | 申请（专利权）人： | 理化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邰红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体层形成方法,利用该方法,可以明显降低所得半导体层中的结构缺陷的缺陷密度,特别是螺形位错的位错密度,所以,可以减少工时,降低制造成本,同时不需要任何复杂工艺,该方法包括在将由之形成半导体层的材料层的表面上,供应用于抑制半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 形成 方法 | ||
【主权项】：
1．一种形成半导体层的半导体层形成方法，包括：供应用于抑制半导体层中结构缺陷的结构缺陷抑制材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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