[发明专利]用于互补型金属氧化物半导体图象传感器的优化浮置P+区光电二极管有效
| 申请号： | 00135994.0 | 申请日： | 2000-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1157795C | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | T·赵;X·何;D·陈 | 申请（专利权）人： | 全视技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/146;H01L31/06;H04N3/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于CMOS图像传感器的带有优化浮置P+区的光电二极管。光电二极管构成为具有P+/N阱/P衬底结构。光电二极管的N阱/P衬底结用作提高灵敏度的深结光电二极管。P+浮置区钝化硅表面，减小暗电流。与传统的牵制光电二极管结构不同，本发明的P+区不与P阱或P衬底区相连，使P+区浮置。避免给单元额外附加电容。光电二极管可作为有源像素传感单元的一部分，其布局与标准CMOS制造工艺完全兼容。这类有源像素传感单元包括光电二极管，可构成三晶体管结构，读出光电二极管的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互补 金属 氧化物 半导体 图象 传感器 优化 光电二极管 | ||
【主权项】：
1、一种形成于第一导电类型的半导体衬底中的光电二极管，包括：形成于半导体衬底中的第二导电类型的第一阱；形成于第一阱中高浓度掺杂的第一导电类型的第一区；及其中高浓度掺杂的第一导电类型的第一区不与半导体衬底相连，所以第一区电浮置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
