[发明专利]利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备方法无效
| 申请号: | 00135476.0 | 申请日: | 2000-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN1129168C | 公开(公告)日: | 2003-11-26 |
| 发明(设计)人: | 朱长纯;刘卫华 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/26;C01B31/02 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈翠兰 |
| 地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备方法,它是由下述工艺过程制备成:溶胶制备、衬底预处理、制备碳纳米管薄膜阴极、检验、包装。本发明的碳纳米管生长密度可通过溶胶浓度加以调节。由于催化剂通过涂敷方法引入衬底表面,可实现大面积生长。溶胶可转变为凝胶或分散到其它冻状介质中。可通过丝网印刷工艺印制到衬底。采用本发明生长的碳纳米管大多数为具有开口结构的多层碳纳米管,具有良好的场发射特性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词: | 利用 生成 催化剂 颗粒 纳米 薄膜 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备方法,其特征在于它是由下述工艺过程制备成:(1)、溶胶制备用铁或钴或镍的盐酸盐或硫酸盐或硝酸盐或醋酸盐加入到100~250倍重量比的水中制成上述盐的水溶液;取去离子水加热至沸腾,边搅拌边加入上述已制备的盐的水溶液,去离子水与上述盐的水溶液的重量比为1/100~2/100,再搅拌加热至沸腾制成溶胶;(2)、衬底预处理用硅片或二氧化硅片或陶瓷片作为衬底,将衬底放入超声波清洗机内,加入无水乙醇浸过衬底,接通超声清洗机的电源,用超声波清洗,然后倒出无水乙醇,再功入去离子水至浸没衬底,接通超声波清洗机的电源,用超声波清洗至表面无杂物无油垢,将衬底浸入溶胶中,取出,在常温下晾干;(3)碳纳米管薄膜阴极的制备将经过预处理的衬底放置在石英舟上,接通低压化学气体沉积炉的电源升温,当反应室温度接近还原所需温度650°~850℃时,在氮气保护下将石英舟推入该炉的反应室,石英舟与迎气流方向成15°~30°的坡度,还原衬底上的由溶胶颗粒形成的氧化态的铁或钴或镍纳米颗粒,然后进行高温还原,在反应室温度为650℃~850℃时,通入H2与N2的混合气,H2/N2混合气的体积比为4/1~10/1,流量为20ml/min,反应室内气压为20~30乇,还原0.5~2小时,得单质的铁或钴或镍纳米颗粒,接着在反应室炉温为650℃~800℃下通入C2H2与N2混合气体,C2H2/N2的体积比为1/10~1/2,反应室气压在40~80乇,生长1~2小时,在衬底上生成一层黑色碳纳米管薄膜阴极,生长结束后,在氮气保护下,将所制得碳纳米管薄膜阴极拉至反应室口,冷却,然后取出;(4)、检验、包装将所制得产品进行质量检验,合格后,包装,入库。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00135476.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:测定数字信号频率偏差的装置及接收机
- 下一篇:采用激光盘的声像伴奏装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





