[发明专利]保护层的制造方法无效
| 申请号： | 00134488.9 | 申请日： | 2000-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1357913A | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王木俊 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种保护层的制造方法,此方法是在提供具有半导体元件的基底上形成介电层,接着,在介电层上形成衬层,之后,在衬层上形成焊垫,以电连接基底中的半导体元件与外界的封装支架,然后,在基底上形成保护层,以保护芯片的电路与元件,接着,移除部分保护层,而暴露出部分焊垫,之后,在焊垫上进行引线接合工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种保护层的制造方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底上形成介电层；在介电层上形成一衬层；在衬层上形成一焊垫；在该半导体基底上形成一保护层；限定该保护层，直到暴露焊垫；以及在焊垫上进行导线接合工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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