[发明专利]程序控温动态晶化制备阴离子层状晶体材料的方法

摘要

本发明涉及一种程序控温动态晶化制备阴离子层状晶体材料的方法。针对现有共沉淀法制备层状材料时具有粒子尺寸均匀性差的缺点，根据晶体化学理论，利用无机晶体材料不同尺寸晶粒在不同温度下的溶解平衡差别，采用强制变温循环技术，最大限度阻止了不同尺寸晶体的同步生长，保证了晶化过程中晶体尺寸的均匀性。并通过晶化过程中的温度、循环量的调节，实现对晶体粒子尺寸的调控。

主权项

1.一种程序控温动态晶化制备阴离子层状晶体材料的方法，采用盐溶液与碱溶液的共沉淀反应，其特征是采用程序控温动态晶化技术，控制晶体的生长和粒度分布；具体步骤为：A：将可溶性二价无机金属盐和可溶性三价无机金属盐配制成混合盐溶液，二价金属离子与三价金属离子的摩尔比为1.6-4.5，二价金属离子的摩尔浓度为0.2-2.5M，三价金属离子的摩尔浓度为0.1-1.25M；B：将步骤A中混合盐溶液与碱溶液混合，得到pH值为8.5-13的浆液；C：将B步骤所得混合浆液加入晶化釜中搅拌，保持釜内混合浆液的温度为95-105℃，同时将釜内混合浆液以总体积2-10％/h的量引出晶化釜，经冷凝器冷却至20-60℃再返回晶化釜，将这一循环过程持续进行1-10h；循环晶化后的物质经过滤、洗涤、干燥即得均分散阴离子层状晶体材料。