[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管平面显示器的制造方法，包括：提供一基板，限定晶体管区、电容区、像素区以及栅极垫区；形成第一金属层，并限定其图形，分别形成栅极电极、电容上电极以及栅极垫；依序沉积绝缘层、半导体层、掺杂硅层以及第二金属层，限定它们的图案，以分别在该晶体管区、以及该电容区形成晶体管岛状结构以及电容，并去除像素区及栅极垫区的第二金属层、掺杂硅层、半导体层以及绝缘层，使像素区的基板与该栅极垫区的该栅极垫暴露出来；以及全面沉积透明导电层，并限定该透明导电层的图案。

主权项

1.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，包括下列步骤：(a)提供一基板，该基板上限定一晶体管区、一电容区、一像素区以及一栅极垫区；(b)于该基板表面上形成一第一金属层，并限定该第一金属层的图形，分别在该晶体管区、该电容区以及该栅极垫区形成一栅极电极、一电容上电极以及一栅极垫；(c)依序沉积一绝缘层、一半导体层、一掺杂硅层以及一第二金属层，限定该绝缘层、该半导体层、该掺杂硅层以及该第二金属层的图案，以分别在该晶体管区、以及该电容区形成一晶体管岛状结构以及一电容，并去除该像素区及栅极垫区的该第二金属层、该掺杂硅层、该半导体层以及该绝缘层，使该像素区的基板与该栅极垫区的该栅极垫暴露出来；以及(d)全面沉积一透明导电层，并限定该透明导电层的图案，先于该晶体管区内限定一通道区，并去除该通道区内的该透明导电层，接着去除未被该透明导电层覆盖的该第二金属层以及该掺杂硅层，如此在该晶体管区内限定形成一源极电极与一漏极电极，且该源极电极与该漏极电极被该通道区所间隔，并使该通道区内的该第一半导体层暴露出来。