[发明专利]检修信号发生电路无效
| 申请号： | 00131482.3 | 申请日： | 2000-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1149656C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 后藤宏二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于输出准确地检测是否切断了熔断丝的检修信号并可靠地进行有不良部位的电路的补救。本发明的装置具备：源极与电源连接且在栅极上输入复位信号的第1p沟道晶体管；源极与接地的熔断丝的另一端连接、漏极与上述第1p沟道晶体管的漏极连接且在栅极上输入上述复位信号的n沟道晶体管；漏极与上述第1p沟道晶体管与上述n沟道晶体管的连接点连接、源极与电源连接且与上述n沟道晶体管相比导通电阻大的第2p沟道晶体管；以及反相器。 | ||
| 搜索关键词： | 检修 信号 发生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种检修信号发生电路，其特征在于：具备：源极与电源连接且在栅极上输入复位信号的第1p沟道晶体管；源极与接地的熔断丝的另一端连接、漏极与上述第1p沟道晶体管的漏极连接且在栅极上输入上述复位信号的n沟道晶体管；漏极与上述第1p沟道晶体管与上述n沟道晶体管的连接点连接、源极与上述电源连接且与上述n沟道晶体管相比导通电阻大的第2p沟道晶体管；以及输入侧与上述连接点连接、输出侧与上述第2p沟道晶体管的栅极连接且输出检修信号的反相器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
