[发明专利]杂芳基取代的吡咯衍生物,它们的制备及它们的治疗用途无效
申请号: | 00131303.7 | 申请日: | 2000-07-21 |
公开(公告)号: | CN1295069A | 公开(公告)日: | 2001-05-16 |
发明(设计)人: | 木村富美夫;青木一真;中尾彰;牛山茂;下里隆一 | 申请(专利权)人: | 三共株式会社 |
主分类号: | C07D401/04 | 分类号: | C07D401/04;C07D401/14;C07D471/04;A61K31/435;A61K31/4353;A61K31/44;A61K31/445;A61K31/495;A61K31/505;A61K31/535;A61P3/00;A61P31/12;A61P19/00;A61P29/00;A61P1/16;A61P35/00;A61P7/00;A61P9/00;A61P3/10;A61P17/06;A61P43/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温宏艳,王其灏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 式(Ⅰ)化合物细胞对炎症因子的产生具有良好的抑制活性,其中A是吡咯环;R1是任选取代的芳基或杂芳基;R2是任选取代的、含氮杂芳基;R3表示式-X-R4基团,其中X是单键或任选取代的亚烷基、亚链烯基或亚炔基,R4是取代的环烷基、取代的芳基、取代的杂环基、任选取代的含氮杂环基、取代的杂芳基、任选取代的含氮杂芳基或-NRaRb,其中Ra和Rb分别是氢原子或烷基、烯基、炔基、芳烷基或烷基磺酰基;其条件是所述取代基R1和R3键合的所述吡咯环上的两个原子与所述取代基R2键合的吡咯环原子相邻。 | ||
搜索关键词: | 杂芳基 取代 吡咯 衍生物 它们 制备 治疗 用途 | ||
【主权项】:
1.式(Ⅰ)化合物或其可药用盐、酯或其它衍生物:其中:A表示吡咯环;R1表示一个下述定义的芳基,该芳基可任选地被至少一个选自下面的取代基所取代:下述定义的取代基α、下述定义的取代基β、下述定义的取代基γ和下述定义的取代基δ,或者表示一个下述定义的杂芳基,该杂芳基任选地被至少一个选自下面的取代基所取代:下述定义的取代基α、下述定义的取代基β、下述定义的取代基γ和下述定义的取代基δ;R2表示一个下述定义的、至少具有一个环氮原子的杂芳基,所述杂芳基任选地被至少一个选自下面的取代基所取代:下述定义的取代基α、下述定义的取代基β、下述定义的取代基γ和下述定义的取代基δ;R3表示式-X-R4的基团,其中:X选自以下基团:单键,下述定义的低级亚烷基,它可以任选地被至少一个下述定义的取代基α所取代,下述定义的低级亚链烯基,它可以任选地被至少一个下述定义的取代基α所取代,下述定义的低级亚炔基,它可以任选地被至少一个下述定义的取代基α所取代;R4选自以下基团:下述定义的环烷基,它被至少一个选自下述定义的取代基β和下述定义的取代基γ的取代基所取代,并且它还可以任选地被至少一个选自下述定义的取代基α和下述定义的取代基δ的取代基所取代,下述定义的芳基,它被至少一个选自下述定义的取代基β和下述定义的取代基γ的取代基所取代,并且它还可以任选地被至少一个选自下述定义的取代基α和下述定义的取代基δ的取代基所取代,下述定义的杂环基,它可以任选地被至少一个选自下述定义的取代基α和下述定义的取代基δ的取代基所取代,并且它至少被一个选自下述定义的取代基β和下述定义的取代基γ的取代基所取代,下述定义的、具有至少一个氮原子的杂环基,所述杂环基任选地被至少一个选自下述定义的取代基α和下述定义的取代基δ的取代基所取代,下述定义的杂芳基,它可以任选地被至少一个选自下述定义的取代基α和下述定义的取代基δ的取代基所取代,并且它至少被一个选自下述定义的取代基β和下述定义的取代基γ的取代基所取代,下述定义的、具有至少一个氮原子的杂芳基,所述杂芳基任选地被至少一个选自下述定义的取代基α和下述定义的取代基δ的取代基所取代,式-NRaRb基团,其中Ra和Rb彼此相同或不同,各自独立地选自氢原子、下述定义的低级烷基、下述定义的低级链烯基、下述定义的低级炔基、下述定义的芳烷基和下述定义的低级烷基磺酰基;其条件是:所述取代基R1和R3键合的所述吡咯环上的两个原子均处于所述取代基R2所键合的吡咯环上原子的邻位;取代基α包括羟基、硝基、氰基、卤原子、下述定义的低级烷氧基、下述定义的卤代低级烷氧基、下述定义的低级烷硫基和下述定义的卤代低级烷硫基;取代基β包括式-NRcRd基团,其中Rc和Rd彼此相同或不同,各自独立地选自氢原子、下述定义的低级烷基、下述定义的低级链烯基、下述定义的低级炔基、下述定义的芳烷基和低级烷基磺酰基;或者Rc和Rd与它们所键合的氮原子一起形成一个下述定义的杂环基;取代基γ包括被式-NRcRd基团所取代的、下述定义的低级烷基,其中Rc和Rd如上所定义;取代基δ包括:可以任选地被至少一个选自上述定义的α取代基所取代的、下述定义的低级烷基,可以任选地被至少一个选自上述定义的α取代基所取代的、下述定义的低级链烯基,可以任选地被至少一个选自上述定义的α取代基所取代的、下述定义的低级炔基,下述定义的芳烷基和下述定义的环烷基;上述取代基R1和R4定义中所述任选取代的芳基,是具有6-14个碳原子的、单环或多环的芳香烃基,该芳香烃基任选与具有3-10碳原子的环烷基稠合;上述取代基R1定义中所述任选取代的杂芳基,以及上述取代基R4定义中所述的、至少被一个选自上述定义的取代基β和上述定义的取代基γ的取代基所取代、并且可以任选地被至少一个选自上述定义的取代基α和上述定义的取代基δ的取代基所取代的杂芳基,是含有1-3个选自硫原子、氧原子和氮原子的杂原子的、5-7员芳香杂环基,所述芳香杂环基任选与另一个选自上述定义的芳基和具有3-10碳原子环烷基的环状基稠合;上述取代基R2定义中所述任选取代的、至少具有一个环氮原子的杂芳基,以及上述取代基R4定义中所述任选取代的、至少具有一个环氮原子的杂芳基,是含有一个或两个氮原子且任选另外含有一个或两个选自硫原子、氧原子和氮原子的杂原子的、5-7员芳香杂环基;上述基团X定义中所述低级亚烷基是具有1-6个碳原子的直链或支链亚烷基;上述基团X定义中所述低级亚链烯基是具有2-6个碳原子的直链或支链亚链烯基;上述基团X定义中所述低级亚炔基是具有2-6个碳原子的直链或支链亚炔基;上述取代基R4和上述取代基δ定义中所述的环烷基是具有3-7个碳原子的环烷基;上述取代基R4定义中所述的、可以任选地被至少一个选自上述定义的取代基α和上述定义的取代基δ的取代基所取代、并且至少被一个选自上述定义的取代基β和上述定义的取代基γ的取代基所取代的杂环基,是具有4-14个环原子、且至少一个环原子是选自硫原子、氧原子和氮原子的杂原子的单环或多环非芳香杂环基,所述杂环基任选与另一个选自上述定义的芳基和上述定义的杂芳基的环状基稠合;上述取代基R4定义中所述的、可以任选地被至少一个选自上述定义的取代基α和上述定义的取代基δ的取代基所取代、具有至少一个环氮原子的杂环基,是含有一个氮原子并且任选含有另外一个选自硫原子、氧原子和氮原子的杂原子的4-12员非芳香杂环基,所述非芳香杂环基任选与另一个选自上述定义的芳基和上述定义的杂芳基的环状基稠合;上述取代基Ra、Rb、Rc和Rd定义中所述的低级烷基,上述取代基δ定义中所述的可以任选地被至少一个选自取代基α的取代基所取代的低级烷基,以及上述取代基γ定义中所述的‘被式-NRcRd取代的低级烷基’之低级烷基部分,是直链或支链的具有1-6个碳原子的烷基;上述取代基Ra、Rb、Rc和Rd定义中所述的低级链烯基,以及上述取代基δ定义中所述的、可以任选地被至少一个选自取代基α的取代基所取代的‘低级链烯基’是直链或支链的具有2-6个碳原子的链烯基;上述取代基Ra、Rb、Rc和Rd定义中所述的低级炔基,以及上述取代基δ定义中所述的、可以任选地被至少一个选自取代基α的取代基所取代的‘低级炔基’是直链或支链的具有2-6个碳原子的炔基;上述Ra、Rb、Rc、Rd和取代基δ定义中所述的芳烷基是被至少一个如上定义的芳基所取代的、上述定义的低级烷基;取代基Ra、Rb、Rc和Rd定义中所述的低级烷基磺酰基,是与磺酰基键合的、上述定义的低级烷基;取代基Rc和Rd与它们键合的氮原子一起形成的所述杂环基,是上述对取代基R4所定义的、至少具有一个氮原子的杂环基,该杂环基任选与另一个选自上述定义的芳基和上述定义的杂芳基的环状基团进行稠合;上述取代基α定义中所述的低级烷氧基,是上述定义的低级烷基,后者与一个氧原子键接;上述取代基α定义中所述卤代低级烷氧基,是上述定义的低级烷氧基,后者被至少一个卤原子所取代;上述取代基α定义中所述的低级烷硫基,是上述定义的低级烷基,后者与一个硫原子键接;上述取代基α定义中所述卤代低级烷硫基,是上述定义的低级烷硫基,后者被至少一个卤原子所取代。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三共株式会社,未经三共株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00131303.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。