[发明专利]金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法无效
| 申请号: | 00127814.2 | 申请日: | 2000-12-07 | 
| 公开(公告)号: | CN1118587C | 公开(公告)日: | 2003-08-20 | 
| 发明(设计)人: | 王辉 | 申请(专利权)人: | 杉杉集团有限公司;王辉 | 
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C01G23/047 | 
| 代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 毛翠莹 | 
| 地址: | 200122*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | 一种金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法,其特征在于强化直流溅射条件,采用高磁控钛靶溅射,并结合高溅射电流密度、高基板温度、低工作气压及高氧分压条件,以保证充分的电离和沉积薄膜的氧化,并使溅射稳定,提高沉积率。本发明制备的二氧化钛薄膜为含少量锐钛矿的金红石多晶结构,具有良好的耐摩擦性和疏水特性,表面附着力非常好,可用于玻璃镜片、陶瓷,幕墙玻璃和汽车后视镜等材料的表面镀膜,也可用于制备某些生物医药材料。 | ||
| 搜索关键词: | 金红石 疏水 薄膜 强化 直流 磁控溅射 制备 方法 | ||
【主权项】:
                1、一种金红石疏水薄膜的强化直流磁控溅射制备方法,其特征在于强化直流溅射条件,采用高磁控钛靶溅射,并结合高溅射电流密度、高基板温度、低工作气压及高氧分压条件,钛靶表面磁场强度为1000高斯,靶面至基板的距离为7cm,制备时先烘烤真空室,本底真空至1×10-3Pa后,在溅射靶附近通入氩气,保持氩气压为1Pa,加高电压电离氩气产生辉光放电,调节氩气压至0.4Pa,溅射稳定后,在基板附近通入氧气,工作气压维持在0.4Pa,分压比O2∶Ar=1∶1,调节电压,使溅射电流密度为50mA/cm2,基板温度控制在360度,沉积率为0.7nm/s。
            
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