[发明专利]采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法无效
| 申请号： | 00124309.8 | 申请日： | 2000-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1144272C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 雷红兵;王红杰;胡雄伟;邓晓清;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法，清洗硅片表面，将硅片放入反应室；采用He作携带气体，用鼓泡法将TEOS和H2O携带进入反应室；通过水浴加热装置，使TEOS恒温在30℃-50℃，H2O恒温在20℃-30℃；对氧化硅进行高温退火，高温退火的温度为800℃-1200℃，退火时间为0.5-2小时。采用TEOS源CVD技术生长SiO2，其膜厚度均匀(±1.5％，2英寸衬底)；折射率可控制在1.453±0.001内，折射率稳定，且退火后不会改变；与高温退火技术相结合，可进行厚膜生长。整个生长工艺与硅工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 teos pecvd 生长 氧化 硅厚膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法，包括步骤：(1)清洗硅片表面，将硅片放入反应室；(2) 通过水浴加热装置，使TEOS恒温在30℃-50℃，H2O恒温在20℃-30℃；(3)采用He作携带气体，用鼓泡法将TEOS和H2O携带进入反应室，在等离子体的作用下，水解缩合成氧化硅薄膜；(4)对氧化硅进行高温退火，高温退火的温度为800℃-1200℃，退火时间为0.5-2小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
