[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管液晶显示器，其采用的薄膜晶体管的制作是利用金属电极层作为掩模，在蚀刻掺杂硅层以形成源/漏电极时，可同时将薄膜晶体管以外区域的半导体层去除干净，藉此降低半导体层可能残留的制作工艺缺陷，而提高薄膜晶体管的制造成品率。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供一基板；在上述基板上限定形成一导电层，作为上述薄膜晶体管的栅极；形成一栅极绝缘层，覆盖于上述导电层和上述基板之上；在上述栅极绝缘层之上依次形成一半导体层与一掺杂硅层；在上述掺杂硅层之上限定形成一岛状牺牲层，且上述岛状牺牲层位于上述导电层的正上方；形成一金属层，覆盖于上述岛状牺牲层和上述掺杂硅层之上；限定蚀刻上述金属层，形成一源极电极层与一漏极电极层；其中，在上述源极电极层与该漏极电极层间的区域限定为一通道区域，且未被上述源极电极层、上述漏极电极层与上述通道区域覆盖的上述基板区域被限定为一非薄膜晶体管区域；如此蚀刻移去该源极电极层与该漏极电极层以外的上述金属层，使上述岛状牺牲层暴露于上述通道区域中，上述掺杂硅层暴露于该非薄膜晶体管区域中；以上述源极电极层和漏极电极层为掩模，进行一预定时段的蚀刻程序，在该预定时段内，同时完成下列二蚀刻制作工艺：(a)于上述通道区域中，去除上述岛状牺牲层和掺杂硅层，以露出上述半导体层，(b)在上述非薄膜晶体管区域中，去除上述掺杂硅层和半导体层，以露出上述栅极绝缘层；以及形成一保护层，覆盖上述源极电极层、漏极电极层、通道区域、以及非薄膜晶体管区域。