[发明专利]新型金属半导体接触制作肖特基二极管无效
| 申请号： | 00120878.0 | 申请日： | 2000-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1337747A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 陈庆丰 | 申请（专利权）人： | 北京普罗强生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明主要与肖特基二极管(SBD)的制造方法和结构相关,基于势垒金属与硅接触形成肖特基二极管,利用势垒金属从硅开始至与硅表面接触部分形成的缓冲台阶,可以简便制作SBD,其性能与常规方法制作的SBD相当。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 金属 半导体 接触 制作 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
本发明主要与肖特基二极管(SBD)的制造方法和结构相关，基于势垒金属与硅接触形成肖特基二极管，利用势垒金属从硅开始至与硅表面接触部分形成的缓冲台阶，可以简便制作SBD，其性能与常规方法制作的SBD相当。
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