[发明专利]与硅具有结晶碱土金属氧化物界面的半导体结构制造方法无效
| 申请号： | 00120260.X | 申请日： | 2000-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1140914C | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 于致忆;拉万德兰那斯·德鲁帕德;科利·D·欧文夹尔德;贾马·兰达尼;杰伊·A·科里斯;杰拉尔德·A·霍尔马克;威廉·J·康姆斯;王军 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体结构的方法包括以下步骤：提供具有表面(12)的硅衬底(10)；在硅衬底的表面上形成以单原子层硅、氧和金属为特征的界面(14)；及在所说界面上形成一层或多层单晶氧化物(26)。所说界面包括XSiO2形式的硅、氧和金属原子层，其中X是金属。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结晶 碱土金属 氧化物 界面 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于包括以下步骤：提供具有表面的硅衬底；在硅衬底的表面上形成以单原子层硅、氧和金属为特征的界面；及在所说界面上形成一层或多层单晶氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
