[发明专利]激光热处理用光学系统和激光热处理装置有效
| 申请号: | 00118744.9 | 申请日: | 2000-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN1287381A | 公开(公告)日: | 2001-03-14 |
| 发明(设计)人: | 冈本达树;小川哲也;古田啟介;时冈秀忠;笹川智宏;西前顺一;井上満悍;佐藤行雄 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;C30B33/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 在激光热处理方法中,提供控制形成高性能薄膜用的激光照射剖面的光学系统。在向形成于基板上的膜上照射长方形束的光学系统中,通过用强度分布成形装置使长度方向的强度分布均匀,短边方向保持振荡激光的定向性等向的结构,能在振荡激光性质限制的界限内进行聚光,在基板上的膜上得到最大限度的强度梯度。因此,可在基板上的膜上形成陡峻的温度分布,其结果,可形成高性能薄膜。 | ||
| 搜索关键词: | 激光 热处理 用光 系统 装置 | ||
【主权项】:
1.一种激光热处理用光学系统,用于通过激光照射热处理基板上形成的膜材料,其特征是具备:形成激光振荡器发射的激光束的剖面强度分布的强度分布成形装置,和在基板上的膜材料上形成长方形束形状的束形状成形装置,强度分布成形装置,将同激光束的光轴垂直的剖面内的y方向的激光束的强度分布均匀,且在剖面内与该y方向正交的x方向的激光束的强度分布维持在激光振荡器发射的激光束的强度分布;束形状成形装置,缩小或扩大由强度分布成形装置发射的激光束的x方向和/或y方向的束长度,将膜材料表面上的激光束作成x方向狭窄y方向伸长的长方形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00118744.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:种植场中农作物营养状况的诊断方法
- 下一篇:模压插入电连接器和制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





