[发明专利]太阳能光伏材料碳薄膜的制作方法无效
| 申请号： | 00115352.8 | 申请日： | 2000-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1141734C | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 崔容强;周之斌;丁正明;庞乾俊;贺振宏 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/35;C23C14/06;H01L31/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种太阳能光伏材料碳薄膜的制作方法，属于半导体材料领域。碳膜沉积源用的靶材是99.999％石墨靶，物理溅射沉积薄膜。本发明具有显著的效果，采用本发明的工艺，SP3含量在30％～80％内调节。通过改变反应室溅射气压和衬底偏压，可改变SP2团族的尺寸大小，用原子力显微镜来观察团族的尺寸，改变SP2团族尺寸，增大尺寸可减小局域态能隙，而SP2团族尺寸减小，可提高其能隙，调节到适合光伏材料要求，SP2团族的尺寸在1nm～5nm范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能 材料 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能光伏材料碳薄膜的制作方法，其特征在于碳膜沉积源用的靶材是99.999％石墨靶，物理溅射沉积薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00115352.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
