[发明专利]一种用于晶体生长的加热方法及其装置有效
| 申请号： | 00113965.7 | 申请日： | 2000-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1137292C | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 黄卫东;林鑫;王猛;沈淑娟 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B9/04 | 分类号： | C30B9/04 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 慕安荣 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于晶体生长的加热方法及装置。为克服现有技术中温度场不均匀，加热效率低，不宜控制加热速度和温度场精度的不足之处，本发明将加热炉的内表面制成椭圆柱镜面，将被加热体置于共焦点轴上，加热电极置于其它焦点轴上，使多个加热电极同时对一个被加热体加热；反之，亦可使一个加热电极对多个被加热体加热。本发明可获得均匀的温度场，方便地控制材料的温度分布，并具有加热效率高，使用安全、方便的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体生长 加热 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶体生长的加热方法，采用一个或多个椭圆镜面将位于一焦点的热源反射到另一焦点的被加热物体上，其特征是该椭圆镜面为椭圆柱镜面，并且当热源位于共焦点轴时，被加热体位于其他焦点轴上；亦或，当被加热体位于共焦点轴时，热源位于其他焦点轴上。
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