[发明专利]“X”型硅微应变固态压阻传感器及其制作工艺

摘要

一种“X”型硅微应变固态压阻传感器及其制作工艺，在氮化硅上光刻出“X”型四端元件(5)的图形，然后通过掩膜刻蚀，在硅中注入半导体材料，得到“X”型四端元件(5)的两相互垂直的电阻条，在其末端压入金属膜作为信号负接点1、电源接点2、信号正接点4和地接点3，所得到的该传感器具有体积微小、灵敏度高、线性范围宽的优点，可广泛用来测量包括微构件机构的拉力、张力、扭矩和压力。

主权项

1.“X”型硅微应变固态压阻传感器，包括一硅膜(6)，其特征在于，硅膜(6)上配置有一四端元件(5)，四端元件(5)由两电阻条构成一“X”型，在一条电阻的两端分别联接信号负接点(1)和信号正接点(4)，在另一条电阻的两端分别联接电源接点(2)和地接点(3)。