[发明专利]衰减相移掩模及其制作方法无效
| 申请号： | 00113046.3 | 申请日： | 2000-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1330287A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 候德胜;冯伯儒;孙方;张锦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国科学院成都专利事务所 | 代理人： | 张一红,王庆理 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单层膜结构的衰减相移掩模及其制作方法。该衰减相移掩模由基片上的光致抗蚀剂膜层构成同时满足衰减率和相移度要求的单层膜。其制作方法是将光致抗蚀剂均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上,成为衰减相移膜层,从而制成单层膜结构的衰减相移掩模基板;再对基板曝光、显影、清洗、烘干后制成有图形的实用衰减相移掩模。该衰减相移掩模结构简单,制作容易,成本低。采用该衰减相移掩模可显著提高光刻分辨力。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减 相移 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种衰减相移掩模，其特征为以基片上的光致抗蚀剂膜层构成单层膜结构。这种单层膜结构的光致抗蚀剂膜层对入射光同时起衰减和相移的作用，光致抗蚀剂膜层的厚度应满足的条件为：使入射光的透过率为5～20％；相移度为180度或其奇数倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00113046.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：戊型隔离压升液体的方法装置
- 下一篇：把手部分转动型的拉手
