[发明专利]射频硅化镀膜工艺

摘要

本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁表面的镀膜工艺，其特征是射频波由发射机提供；射频波经馈线输送到离子回旋天线，该天线呈半圆形状，置于磁约束聚变装置的内部；该装置抽成真空后，充入硅烷和氦气；射频波将予充在装置中的硅烷气体电离，产生高能的硅原子和硅化合物分子并对壁表面进行沉积，形成硅膜。利用这种工艺所形成的硅膜均匀，硬度高，粘滞性强，抗轰击，与常规的直流辉光放电技术所获得的膜质量相比，其使用寿命提高5倍以上。

主权项

1、一种射频硅化镀膜工艺，其特征是：A)射频波由射频发射机(1)提供；B)射频波经馈线(7)输送到离子回旋天线(3)，该离子回旋天线(3)整体上呈半圆形状，置于磁约束聚变装置(2)的内部；C)磁约束聚变装置(2)内抽成真空后，充入硅烷和氦气的混合气体；硅烷与氦气的比例为1∶5-10，混合气体的压强为0.01-0.5Pa，同时，将磁约束聚变装置第一壁表面的温度控制在180-220摄氏度之间。D)射频波经离子回旋天线(3)激发后，将硅烷气体电离，分解成为高能的硅离子，这些离子通过碰撞和电荷交换，形成中性的硅原子和硅化合物分子，轰击磁约束聚变装置(2)第一壁表面，经沉积形成硅膜。