[发明专利]射频清洗工艺

摘要

本发明涉及一种用于磁约束聚变装置第一壁的清洗工艺,其特征是离子回旋天线置于磁约束聚变装置内,该装置内预充有氦气;由射频发射机提供所需的射频波;射频波经阻抗匹配系统耦合到离子回旋天线,使该天线激发射频电磁波;射频电磁波电离产生等离子,轰击面向等离子的磁约束聚变装置第一壁表面,解吸吸附在该壁表面的杂质;用大抽速的真空泵将解吸出来的杂质分子抽出,实现快速、高效清洗磁约束聚变装置第一壁的目的。

主权项

1、一种射频清洗工艺，其特征是：A)、离子回旋天线(3)置于磁约束聚变装置(2)内，该装置(2)内子充有氦气；B)、由射频发射机(1)提供所需射频波；C)、射频波经阻抗匹配系统(5)耦合到离子回旋天线(3)，使该天线(3)激发射频电磁波：D)、射频电磁波电离产生等离子(4)，轰击面向等离子(4)的磁约束聚变装置(2)第一壁表面，解吸吸附在该壁表面的杂质；E)、用大抽速的真空泵(7)将解吸出来的杂质分子抽出。