[发明专利]存储器刷新速率的测试方法无效

专利信息
申请号: 00108921.8 申请日: 2000-05-17
公开(公告)号: CN1134790C 公开(公告)日: 2004-01-14
发明(设计)人: 马劲柏;张有权;林光信 申请(专利权)人: 英业达股份有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G06F11/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 马莹
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种存储器刷新速率的测试方法,用来测试计算机系统的存储器刷新速率是否正常。其方式是在相同时间内记录计算机系统内的存储器刷新次数和CMOS周期中断的发生次数,再利用CMOS周期中断的设定频率和发生次数以及所得到的存储器刷新次数,判断出存储器刷新速率是否正常。由于CMOS周期中断的最高可设定频率高于一般存储器刷新速率并且为计算机系统原有的资源,所以能够在不增加成本的情况下提高存储器刷新速率测试的精确度。
搜索关键词: 存储器 刷新 速率 测试 方法
【主权项】:
1.一种存储器刷新速率的测试方法,适用于计算机系统中,用以测试所述计算机系统中的存储器刷新速率是否正常,所述测试方法包括下列步骤:设定所述计算机系统中CMOS周期中断频率为一设定频率;记录在相同时间内所述计算机系统中的存储器刷新次数和所述CMOS周期中断的发生次数;指定一最大允许误差值;计算所述存储器刷新次数和所述存储器刷新频率的比值与所述CMOS周期中断的发生次数和所述设定频率的比值的差值;根据所述差值和所述最大允许误差值,确定所述存储器刷新速率是否正常,其中,当所述差值的绝对值小于所述最大允许误差值时,表示所述存储器刷新速率正常,而当所述差值的绝对值大于所述最大允许误差值时,表示所述存储器刷新速率不正常。
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