[发明专利]薄膜压电装置有效
| 申请号： | 00108912.9 | 申请日： | 2000-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1163982C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 矢野義彦;野口隆男;阿部秀典;斎藤久俊 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜压电装置，具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5)，该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 压电 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜压电装置，包含硅基板、该硅基板上的外延膜形式的金属薄膜、和位于该金属薄膜上的外延PZT薄膜，该外延PZT薄膜中的Ti/(Ti+Zr)原子比为0.65到0.90。
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