[发明专利]薄膜晶体管制造方法及薄膜晶体管

摘要

作为薄膜晶体管的栅绝缘膜形成第一绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅极。然后，注入杂质以形成源和漏区。作为层间绝缘膜，形成折射率为n1且膜厚为d2的第二绝缘膜覆盖第一绝缘膜和栅极。其后，加上波长为λ的激光以激活杂质。第一和第二绝缘膜的膜厚d1和d2满足相对于激光波长λ的情况，以在需要激活的区域处形成防反射膜。同时，设定膜厚d1和d2使栅极上的层间绝缘膜形成反射膜。这减少了杂质激活期间激光对栅极的热破坏。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在透明衬底上形成半导体薄膜；在所述半导体薄膜上形成折射率为n1且膜厚为d1的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成栅极；把杂质注入所述半导体薄膜中；形成折射率为n2且膜厚为d2的第二绝缘膜，以覆盖所述第一绝缘膜和所述栅极；以及施加波长为λ的激光来激活所注入的杂质；其中所述膜厚d1和d2的厚度足以把所述激光反射离栅极并被远离所述栅极的所述薄膜晶体管所吸收，所述厚度d1和d2落在满足一组公式(5)和(6)的范围内，m和m1为任意给定的正整数：abs{d2*n2-2*m*λ/4}＜λ/8 (5)；以及abs{(d2*n2+d1*n1)-(2*m1-1)*λ/4}＜λ/8 (6)。