[发明专利]一种激光器与光电开关集成的器件无效
| 申请号： | 00107893.3 | 申请日： | 2000-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1124653C | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 林世明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01S5/026;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种激光器与光电开关集成的器件，在n型GaAs衬底上，用MBE方法依次生长n型GaAs缓冲层，n型AlAs/Al0.1Ga0.9As，n型Al0.25Ga0.75As下限制层，GaAs有源层，p型Al0.25Ga0.75As上限制层，p型AlAs层，p型AlAs/Al0.1Ga0.9As层和p型Al0.1Ga0.9As欧姆接触层；垂直腔面发射激光器结构层生长完毕；在生长金属-绝缘体-半导体开关之前先生长一层AlAs高腐蚀停止层；接下来在垂直腔面发射激光器上生长金属-绝缘体-半导体开关：外延层依次为p-GaAs，n-GaAs和AlAs层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 光电开关 集成 器件 | ||
【主权项】：
1、一种激光器与光电开关集成的器件，其特征在于，在n型GaAs衬底上，用MBE方法依次生长n型GaAs缓冲层，n型AlAs/Al0.1Ga0.9As，n型Al0.25Ga0.75As下限制层，GaAs有源层，p型Al0.25Ga0.75As上限制层，p型AlAs层，p型AlAs/Al0.1Ga0.9As层和p型Al0.1Ga0.9As欧姆接触层；垂直腔面发射激光器结构层生长完毕；在生长金属-绝缘体-半导体开关之前先生长一层AlAs高腐蚀停止层；接下来在垂直腔面发射激光器上生长金属-绝缘体-半导体开关；外延层依次为p-GaAs，n-GaAs和AlAs层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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