[发明专利]干式腐蚀方法无效
| 申请号： | 00106884.9 | 申请日： | 2000-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1135606C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 杉浦弘;成田雅贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 隗永良 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种干式腐蚀方法，用于在以铝作为主要成分的金属膜与至少包含钛和氮化钛的其中之一的薄膜的叠层膜的构图。该干式腐蚀方法采用具有不加工金属膜的气体组成的第一腐蚀气体(CF4气体、Ar气体和Cl气体的混合气体)干式腐蚀薄膜。然后，采用具有与第一腐蚀气体不同的气体组成的第二腐蚀气体(Cl气体和BCl3气体的混合气体)干式腐蚀金属膜。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干式腐蚀方法，包括：将掩模层形成在半导体基板上的叠层膜上，所述叠层膜包括在所述半导体基板上形成的以铝作为主要成分的金属膜，和在该金属膜上形成的含有金属和金属化合物的至少其中之一的薄膜；和一边以所述掩模层用作腐蚀掩模，一边构图所述叠层膜，该构图包括第一步骤，采用具有不加工所述金属膜的气体组成的第一腐蚀气体干式腐蚀所述薄膜，和第二步骤，采用具有与所述第一腐蚀气体不同的气体组成的第二腐蚀气体干式腐蚀所述金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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