[发明专利]电子发射器件和电子源及图像形成装置的制造方法无效
| 申请号： | 00106503.3 | 申请日： | 2000-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1147900C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 神代和浩;大西敏一 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造电子发射器件的方法包括在基片上形成一对导体的步骤，所说导体彼此隔开，还包括在碳化合物气体的气氛中，在一对导体的至少一侧上淀积碳或碳化合物的激发工艺。激发工艺包括分两个或多个阶段的多个工艺，包括第一工艺和第二工艺。第一工艺在高于作为最后激发工艺的第二工艺的分压的碳化合物气氛中进行。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 器件 图像 形成 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子发射器件的方法，包括：在基片上形成一对导体的步骤，所说导体彼此隔开；及在碳化合物气体的气氛中，对所说一对导体施加电压，在该对导体的至少一侧上淀积碳或碳化合物的激发工艺，其中所说激发工艺包括第一工艺和第二工艺，第一工艺在碳化合物的分压高于作为最后激发工艺的第二工艺中碳化合物分压的气氛中进行，在所说一对导体之间流动的器件电流达到第一工艺结束时的电流值之前结束第二工艺。
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