[发明专利]半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 00105394.9 | 申请日： | 2000-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1266299A | 公开（公告）日： | 2000-09-13 |
| 发明（设计）人： | 福久敏哉;万浓正也;吉川昭男 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器,包括具有n－型传导性的n－型覆层、形成在n－型覆层的顶部的活性层、形成在活性层的顶部并具有p－型传导性的p－型覆层基底层、形成在p－型覆层基底层的上表面的特定部分上并基本上具有n－型传导性的电流阻挡层,以及具有p－型传导性的p－型掩埋覆层,形成该p－型掩埋覆层以覆盖电流阻挡层并接触p－型覆层基底层的上表面的其余部分。电流阻挡层具有至少两个有不同的n－型载流子浓度的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，包括：一个具有n-型传导性的n-型覆层；一个形成在所述n-型覆层的顶部的活性层；一个形成在所述活性层的顶部并具有p-型传导性的p-型覆层基底层；一个形成在所述p-型覆层基底层的上表面的特定部分上并基本上具有n-型传导性的电流阻挡层；和一个具有p-型传导性的p-型掩埋覆层，形成该p-型掩埋覆层以覆盖所述电流阻挡层并接触所述p-型覆层基底层的上表面的其余部分，其中，所述电流阻挡层具有至少两个区域，这两个区域具有不同的n-型载流子浓度(此后称“N1”和“N2”，其中N1＜N2)，在所述p-型覆层基底层和所述p-型掩埋覆层之间的交界面附近的一个区域具有n-型载流子浓度为N1，所述电流阻挡层的其余区域的一部分或全部的浓度为N2。
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