[发明专利]由半导体陶瓷制成的单片电子元件有效
| 申请号： | 00103732.3 | 申请日： | 2000-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1155014C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 新见秀明;松永达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;C04B35/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种由半导体陶瓷制成的单片电子元件，该元件包括交替堆叠的半导体陶瓷层与内部电极层组成的煅烧叠层以及形成于煅烧叠层上的外部电极，其中每层半导体陶瓷层包括半导体化煅烧钛酸钡，其包含下列物质：氧化硼；从钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素中选择的至少一种金属的第一氧化物；以及从钛、锡、锆、铌、钨和锑中选择的至少一种金属的第二氧化物，注入的氧化硼数量按还原的原子硼计满足一定的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 制成 单片 电子元件 | ||
【主权项】：
1.一种由半导体陶瓷制成的单片电子元件，其特征在于该元件包括交替堆叠的半导体陶瓷层与内部电极层组成的煅烧叠层以及形成于煅烧叠层上的外部电极，其中每层半导体陶瓷层包括半导体化煅烧钛酸钡，该半导体陶瓷层包含下列物质：氧化硼；从钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素中选择的至少一种金属的第一氧化物；以及从钛、锡、锆、铌、钨和锑中选择的至少一种金属的第二氧化物，掺入的氧化硼数量按还原的原子硼计满足下列关系：0.001≤B/β≤0.50以及0.5≤B/(α-β)≤8.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的原子总数，而β表半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑的原子总数。
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