[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法，可形成CMOS晶体管和存储单元晶体管而不使可靠性和性能下降。提供如下步骤：用HTO膜覆盖存储单元区，并在CMOS晶体管中形成侧壁的同时暴露CMOS晶体管的扩散区的步骤，淀积钛的步骤，和使扩散区与钛反应，从而在CMOS晶体管源和漏中形成硅化钛的步骤。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成具有其中形成存储单元晶体管的存储单元区和其中形成CMOS晶体管的CMOS逻辑区的半导体衬底，和在所述存储单元区中形成用于存储单元晶体管的栅极的步骤；用存储单元晶体管使用的所述栅极作为掩模，在所述存储单元区中形成扩散层的第一杂质注入步骤；在所述CMOS逻辑区中形成用于CMOS晶体管的栅极的步骤；用CMOS晶体管的栅极作为掩模，在所述CMOS逻辑区中形成轻掺杂漏的第二杂质注入步骤；形成覆盖所述存储单元区和所述CMOS逻辑区的绝缘膜的绝缘膜形成步骤；形成覆盖所述存储单元区但不包括所述CMOS逻辑区的光刻胶的步骤；利用所述光刻胶作为掩模腐蚀所述绝缘膜、并在用于CMOS晶体管的所述栅极的侧表面中形成侧壁的步骤；用所述侧壁作为掩模，在所述CMOS逻辑区中形成所述CMOS晶体管的扩散层的第三杂质注入步骤；去掉所述掩模层之后，在整个表面上淀积金属的步骤；使所述淀积的金属和所述CMOS晶体管的暴露扩散层反应以形成金属硅化物的步骤。