[发明专利]静态随机存取存储器单元及其制造工艺

摘要

一种SRAM单元,它包含至少二个驱动晶体管和二个传送晶体管以及二个各由TFT组成且通过层间绝缘膜排列在这些晶体管上的负载晶体管,此负载晶体管的有源区包含非晶硅结晶能力由于采用催化元素的固相生长技术而得以改进了的硅膜以及用来防止催化元素扩散进入排列在层间绝缘膜与负载晶体管之间的驱动晶体管和传送晶体管的势垒层。

主权项

1.一种SRAM单元，它包含至少二个驱动晶体管和至少二个传送晶体管以及至少二个各由TFT组成且通过层间绝缘膜排列在所述驱动和传送晶体管上的负载晶体管，此负载晶体管的有源区包含非晶硅结晶能力由于采用催化元素的固相生长技术而得以改进的硅膜以及用来防止催化元素扩散进入排列在层间绝缘膜与负载晶体管之间的驱动晶体管和传送晶体管的势垒层。