[实用新型]一种可靠性提高的E2PROM集成电路

说明书

本实用新型涉及一种可靠性提高的E²PROM集成电路，尤其涉及一种可应用于智能卡的IC芯片的E²PROM集成电路。

在过去的二十年中，智能卡生产作为信息产业的一个重要环节，已经从以欧洲为中心，发展成为一个世界性的重要工业。IC芯片是智能卡的基础，此种IC芯片采用了E²PROM集成电路，因此，以这种集成电路制成的模块的可靠性是智能卡是否稳定的关键。如图5和6所示，依据已有技术，在E²PROM模块制造过程中，需要使用高压打火金丝球焊的步骤，该步骤中所引入的高压电场将使模块制造前E²PROM集成电路中预先写入的存储单元信息发生变化。由于这些变化，严重地影响了IC芯片的可靠性，使得有些IC芯片成为废品而不得不被丢弃，而有些IC芯片的可靠性大大降低。

虽然，在IC芯片制作完成后，对有些IC芯片的E²PROM存储单元所进行的重写可能恢复原先写入的存储单元信息。但是，这样做不仅增加了额外的时间和人力，而且也不一定能达到预期的效果，在生产效率受到影响的同时，也相应地提高了生产成本。

因此，本实用新型的目的在于提供一种可靠性和合格率都得以提高的智能卡的核心E²PROM集成电路。

为了解决以上问题，本实用新型的一个方面是提供一种E²PROM集成电路，它包括半导体衬底、位于衬底上的E²PROM存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层，其中所述E²PROM集成电路还包括覆盖E²PROM存储单元阵列至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜，所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。

依据本实用新型的另一个方面，所述附加金属膜的形状可以是片状、网状或丝状等。

依据本实用新型的再一个方面，所述附加金属膜覆盖整个E²PROM存储单元阵列。

此外，可以在所述介质层上形成上层金属互连的同时形成所述附加金属膜。

在如上所述构成的E²PROM集成电路中，由于在需要保护的E²PROM存储单元阵列的至少一部分上覆盖附加金属膜，这层金属膜与衬底在电气上相连，从而有效地屏蔽了在E²PROM芯片的模块封装中熔化金球时高压打火所产生的电场影响，所以避免了在E²PROM模块制作过程前预先写入E²PROM存储单元内的信息发生改变，从而提高了产品的可靠性和合格率。

另一方面，由于在介质层上形成外围控制电路的金属连线的同时形成附加金属膜，所以在芯片制造过程中不需要增加新的工艺步骤，而只需对光刻掩模的图形作一些改动，所以不会降低生产效率继而影响生产成本。

从以下结合附图对本实用新型较佳实施例的描述中，将使本实用新型的特征和优点变得明显起来，其中附图中相同的标号表示相同的部分：

图1是依据本实用新型一个实施例的覆盖有金属膜的E²PROM集成电路的剖面示意图；

图2是依据本实用新型一个实施例的覆盖有金属膜的E²PROM集成电路的俯视图；

图3是依据本实用新型另一个较佳实施例的覆盖有金属膜的E²PROM集成电路的俯视图；

图4是依据本实用新型再一个较佳实施例的覆盖有金属膜的E²PROM集成电路的俯视图；

图5是常规的无金属膜屏蔽的E²PROM集成电路的剖面示意图；以及

图6是常规的无金属膜屏蔽的E²PROM集成电路的俯视图。