[发明专利]一种制作金刚石薄膜刀具、工具的方法无效
| 申请号: | 98111771.6 | 申请日: | 1998-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN1258582A | 公开(公告)日: | 2000-07-05 |
| 发明(设计)人: | 王光 | 申请(专利权)人: | 王光 |
| 主分类号: | B23P15/28 | 分类号: | B23P15/28;C23C16/26 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 257026 山东省东营市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制作 金刚石 薄膜 刀具 工具 方法 | ||
本发明涉及一种金刚石薄膜刀具、工具的制备方法,具体涉及CVD金刚石膜后切割成刀具的制备方法。
制做金刚石薄膜刀具的传统方法早已公开,是把待使用的刀片经处理后直接放在涂覆炉里涂覆金刚石薄膜,然后直接使用。如参考文献:1.N.kikuchi,H.eto,T.okamura and H.Yoshjmura,Applications ofDiamend Films and Related Material.(c)Eleselier SciencePublishers BV,1991;2.Michael Seal,Applications of Diamond Films and Related Materials.Third International Conference 1995。
这些文章所描述的方法由于以下缺点,使得金刚石薄膜刀具的生产、使用受到限制。1.很难在刀片锋利的刃口上均匀涂覆金刚石薄膜,因为在锋利的刃口上很难进行涂覆金刚石薄膜前的处理工作,比如用金刚石粉研磨,导致锋利的刃口由于未很好进行前处理而不易涂覆;还因为涂覆所用气体在涂覆炉里快速流动,在锋利的刃口处引起的边缘效应会使在刃口处的涂覆很困难;另外,涂覆时也很难控制刃口温度均匀一致,而不均匀的温度分布不能得到均匀涂覆。2.在刀具锋利的刃口上涂覆金刚石薄膜其厚度难以掌握,会使刃口变钝而限制刀具的使用范围。3.直接涂覆的金刚石薄膜刀具刃口无法抛光,使刀具在使用过程中易粘刀,影响刀具的使用。4,直接涂覆的刀片是整体涂覆的,利用率低,生产效率低。5,直接涂覆的刀片只能一次性使用。
本发明的目的是克服上述已有技术的不足,提供一种方法,仅在刀具刃口涂覆,而无需涂覆其它面。
本发明的金刚石刀具的制备方法包括:在刃具基质上CVD涂覆金刚石,按所需刀头形状切割;或者将按刀头形状切割好的刃具基质基本拼成一体再进行CVD涂覆金刚石膜;然后抛光刀头金刚石膜面;焊接在刀体上,用磨刀机精修。
这样做导致在大片的刃具基质上的涂覆前处理,例如用金刚石粉研磨刃具基质表面变得很简单,在刀尖刃口处涂覆所引起的边缘效应影响不复存在,大片刃具基质在涂覆时温度控制非常容易,这三点对涂覆金刚石膜非常重要。
图1是本发明制备车刀的一个实施方案简图。
图2是本发明制备铣刀的一个实施方案简图。
图3是本发明制备铣刀的一个实施方案简图。其中:101指已涂覆金刚石薄膜的刃具基质;102指已切割的刀粒;103指已完成的金刚石薄膜车刀。201指已涂覆金刚石薄膜的刃具基质;202指已切割的刀片;203指已完成的金刚石簿膜铣刀。301指已涂覆金刚石薄膜的刃具基质;302指已切割的刀片;303指已完成的金刚石簿膜铣刀。
在涂覆金刚石薄膜的刃具基质应用较多是硬质合金、钢铁类等,由于这些材料的热膨胀系数比金刚石大几倍,在涂覆时从700℃以上的温度降到室温过程中,由于热应力的影响,如果金刚石膜较厚,则易脱落或影响使用效果;若金刚石膜太薄则没有金刚石应带来的明显效果,因此本发明金刚石膜厚度优选1-100微米,更优选5-50微米。
在刃具基质涂覆CVD金刚石薄膜时,对基质的表面形状没有特殊限制,例如可以是平面、球面、柱面或其它形状。这就极大拓展了本发明的应用范围。涂覆金刚石膜的表面既可以作为刀具的前刀面,也可作为后刀面,只要保证切削刃上有金刚石膜即可,利用上述特点可以制做金刚石薄膜车刀、铣刀、成形刀具、钻头等。
用CVD的许多方法都可在刃具基质表面涂覆金刚石薄膜,在涂覆前都要对刃具基质表面进行预处理。直流等离子喷射方法的特点是涂覆快,可达40微米/小时,涂层与基质结合良好,涂层整体比较均匀,但刃具基质温度较难控制。本申请人经过长期试验找到所用涂覆工艺的优选参数:气体选用氢气,氩气,甲烷,甲烷/氢气在1%-3%,涂覆温度为700℃-950℃,涂覆压力1KP-10KP。
另外,热丝CVD的特点是刃具基质的表层温度较好控制,涂层均匀。所以本申请人还进行了热丝CVD试验,找到的优选参数是:涂覆速率为5-20微米/小时,涂覆温度700℃-900℃,涂覆压力2KP-8KP,偏流为0.1-0.4A/cm2,所用气体为氢气,甲烷,甲烷/氢气为1%-3%(流量比)。
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