[发明专利]层叠式磁头的制造方法和磁头无效
| 申请号: | 97193809.1 | 申请日: | 1997-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN1216138A | 公开(公告)日: | 1999-05-05 |
| 发明(设计)人: | E·A·德莱斯马;F·A·普隆克 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31;G11B5/39 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,张志醒 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 层叠 磁头 制造 方法 | ||
1.一种制造层叠式磁头的方法,该磁头具有磁头端面并包含一感应式传感系统,按该方法在一平整基面上沉积一用于构成第一绝缘层的非磁性绝缘材料,在该绝缘层上形成感应式传感元件,在此之后,在第一绝缘层上和在其上形成的感应式传感元件上沉积一用于形成第二绝缘层的非磁性绝缘材料,在此之后,形成一对邻接基面的非磁性间隙层限界的磁导,在此之后形成磁头端面,因此,磁导和间隙层终止于磁头端面,其特征在于,在形成第二绝缘层之后,将在其中形成磁头端面的区内的材料除去,用以形成一延伸贯通第一和第二绝缘层并深达该基面的孔,在此之后,在该孔中沉积一用于形成间隙层的非磁性绝缘材料,接着在间隙层上沉积一用于形成第一软磁性层的软磁性材料,在此之后,将第一软磁性层进行平整以形成一平整表面,接着在其上沉积一用于形成第二软磁性层的软磁性材料,该第二软磁性层与第一软磁性层一起构成磁导。
2.一种制造层叠式磁头的方法,该磁头具有磁头端面并包含感应式传感系统,按该方法,在一基平面上沉积一用于形成第一绝缘层的非磁性绝缘材料,在该绝缘层上形成一感应式传感元件,在此之后,在第一绝缘层和其上形成的感应式传感元件上沉积一种用于形成第二绝缘层的非磁性绝缘材料,在此之后形成一个对非磁性间隙层限界的磁导,在此之后形成磁头端面,因此磁导和间隙层终止在磁头端面,其特征在于,在形成第二绝缘层之后,将在其中形成磁头端面的区中的材料除去,用以形成延伸贯通第一和第二绝缘层并深达该基面的孔,在此之后,在该孔中沉积用于形成第一软磁性层的软磁材料,在此之后,将第一软磁性层进行平整以形成一平整表面,接着在其上沉积一种用于形成间隙层的非磁性绝缘材料,接着沉积一种构成磁导的第二软磁性层的软磁性材料。
3.一种制造层叠式磁头的方法,该磁头具有磁头端面并包含感应式传感系统,按该方法,沉积一种非磁性绝缘材料用以形成第一绝缘层,在该绝缘层上形成感应式传感元件,在此之后,在第一绝缘层上和其上形成的感应式传感元件上沉积一种用于形成第二绝缘层的非磁性绝缘材料,在此之后,形成一个对非磁性间隙层限界的磁导,在此之后形成磁头端面,因此,磁导和间隙层终止于磁头端面,其特征在于,在形成第一绝缘层之前,在一其中形成磁头端面的区域中的基面上沉积软磁材料,用以形成第一软磁性层,在此之后,在第一软磁性层上和该基面中的邻接部分上沉积一种用于形成第一绝缘层的非磁性绝缘材料,在此之后,顺序形成感应式传感元件和第二绝缘层,在此之后,对深至第一软磁性层进行平整以形成一平整表面,在其上顺序沉积一种用于形成间隙层的非磁性绝缘材料和一种用于形成一构成磁导的第二软磁性层的软磁性材料。
4.如在权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,对磁导以及邻接的非磁性绝缘材料层部分进行平整,以形成一平整的主表面,接着在其上形成传感系统的磁阻层。
5.如权利要求1、2、3或4所述的方法,其特征在于,所述方法由在一非磁性材料的平整基片上沉积一种用于形成软磁性基层的软磁性材料开始,在此之后,对该基层以及邻接的已沉积非磁性绝缘材料的层部分进行平整,以便形成基面。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,在基片上沉积软磁材料之前,在基片上沉积一种用于形成绝缘基层的非磁性绝缘材料,在此之后,通过除去在绝缘基层中的材料形成一与要形成的软磁性基层相对应的且深达该基片的孔,在此之后,通过在相关的孔中沉积一种软磁性材料形成软磁性基层,在此之后,对软磁性基层和绝缘基层一起进行平整。
7.如权利要求1或2或附加于权利要求1或2的权利要求所述的方法,其特征在于,在从一要形成磁头端面的附近区域内的第一和第二绝缘层中除去材料的同时,除去在一远离要形成磁头端面的区域内的第一和第二绝缘层中的材料,以形成一延伸深至基面的贯通连接孔,同时,在形成软磁性层的过程中,在该贯通连接孔中沉积软磁性材料,用以在该基面和要形成的磁导之间形成软磁性贯通连接部。
8.如前述任一权利要求所述的方法,其特征在于,通过机械-化学抛光进行平整。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家菲利浦电子有限公司,未经皇家菲利浦电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97193809.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:流量计对准装置
- 下一篇:静水动压回流式自储能电站





