[发明专利]在非法向入射角具有高增益的光学膜无效
| 申请号: | 97192652.2 | 申请日: | 1997-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN1212762A | 公开(公告)日: | 1999-03-31 |
| 发明(设计)人: | R·C·艾伦;L·W·卡尔森;A·J·乌德克瑞克;M·F·韦伯;A·L·克茨;T·J·内维特;C·A·斯托佛;B·马宗达 | 申请(专利权)人: | 美国3M公司 |
| 主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 白益华 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非法 入射角 具有 增益 光学 | ||
1.一种光学体,它包括:
聚合物第一相和置于所述第一相中的第二相,沿任何三根相互正交的轴中的至少两根轴所述第二相是不连续的;其中30°-60°入射时的平均相对增益大于法向入射时的相对增益。
2.一种光学体,它包括:
聚合物第一相和置于所述第一相中的第二相,沿任何三根相互正交的轴中的至少两根轴所述第二相是不连续的;其中60°入射时的相对增益至少等于法向入射时的相对增益。
3.如权利要求2所述的光学体,其特征在于60°入射时和法向入射时的增益差至少约为0.1。
4.如权利要求2所述的光学体,其特征在于60°入射时和法向入射时的增益差至少约为0.2。
5.如权利要求2所述的光学体,其特征在于60°入射时和法向入射时的增益差至少约为0.3。
6.一种光学体,它包括:
聚合物第一相和置于所述第一相中的第二相,沿任何三根相互正交的轴中的至少两根轴所述第二相是不连续的;其中随角度而变的相对增益的最大值在30°-60°角度范围内获得。
7.如权利要求1所述的光学体,其特征在于所述第一相和第二相沿第一轴的折射率差大于约0.05,沿与所述第一轴正交的第二轴的折射率差小于约0.05。
8.如权利要求1所述的光学体,其特征在于所述第一相的双折射至少约为0.1。
9.如权利要求1所述的光学体,其特征在于所述第一相的双折射至少约为0.15。
10.如权利要求1所述的光学体,其特征在于所述第一相的双折射至少约为0.2。
11.如权利要求1所述的光学体,其特征在于所述第二相的双折射小于约为0.02。
12.如权利要求1所述的光学体,其特征在于所述第二相的双折射小于约为0.01。
13.如权利要求1所述的光学体,其特征在于沿所述第一轴所述第二相的折射率与所述第一相的折射率之差大于约0.1。
14.如权利要求1所述的光学体,其特征在于沿所述第一轴所述第二相的折射率与所述第一相的折射率之差大于约0.15。
15.如权利要求1所述的光学体,其特征在于沿所述第一轴所述第二相的折射率与所述第一相的折射率之差大于约0.2。
16.如权利要求1所述的光学体,其特征在于沿所述第二轴所述第二相的折射率与所述第一相的折射率之差小于约0.03。
17.如权利要求1所述的光学体,其特征在于沿所述第二轴所述第二相的折射率与所述第一相的折射率之差小于约0.01。
18.如权利要求1所述的光学体,其特征在于沿所述至少一根轴所述第一和第二相加在一起的对电磁辐射的两个偏振态的漫反射率都至少为约50%。
19.如权利要求1所述的光学体,其特征在于所述光学体对电磁辐射第一偏振态的总反射率大于约50%,对与所述第一偏振方向正交的电磁辐射第二偏振态的总透射率大于约50%。
20.如权利要求19所述的光学体,其特征在于所述光学体对所述电磁辐射第一偏振态的总反射率大于约60%。
21.如权利要求19所述的光学体,其特征在于所述光学体对所述电磁辐射第一偏振态的总反射率大于约70%。
22.如权利要求19所述的光学体,其特征在于所述光学体对所述电磁辐射第二偏振态的总透射率大于约60%。
23.如权利要求19所述的光学体,其特征在于所述光学体对所述电磁辐射第二偏振态的总透射率大于约70%。
24.如权利要求1所述的光学体,其特征在于至少约40%沿与第一光偏振态正交的方向偏振的光线以小于约8°的偏转角透射通过所述光学体。
25.如权利要求1所述的光学体,其特征在于至少约60%沿与第一光偏振态正交的方向偏振的光线以小于约8°的偏转角透射通过所述光学体。
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