[发明专利]半导体器件及其制造方法、电路基板和柔软基板

权利要求书

1、一种半导体器件的制造方法，具备有下述工序：

准备具有重叠到半导体芯片上的区域且同时在上述重叠区域内已形成了用来形成外部电极的外部电极形成部分的柔软基板的工序；

在上述半导体芯片中的具有电极的面和上述柔软基板中的与上述半导体芯片的具有电极的上述面相对配置的面的至少任何一方上，设有间隙保持部分的工序；

在使各个上述面相对，中间存在着上述间隙保持部分的状态下，配置上述半导体芯片和上述柔软基板，并使设置于上述柔软基板上的接合部分与上述半导体芯片的上述电极进行接合的工序。

2、权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征是：在设置上述间隙保持部分的工序中形成的上述间隙保持部分，设置于与上述外部电极形成部分对应的区域之外的区域上。

3、权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征是：还包括在上述半导体芯片和上述柔软基板之间形成应力吸收层的工序。

4、权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征是：上述应力吸收层至少设于与上述外部电极形成部分对应的区域上。

5、权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征是：上述间隙保持部分，可以采用印刷树脂的办法进行设置。

6、权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征是：上述间隙保持部分通过用喷墨方式使之吐出树脂来制造。

7、权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征是：上述间隙保持部分仅仅设置在上述半导体芯片中的具有上述电极的面上。

8、权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征是：上述应力吸收层用注入模塑材料形成。

9、权利要求5到7中的任何一项所述的半导体器件的制造方法，其特征是：上述树脂使用具有热硬化性或紫外线硬化性的树脂。

10、权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征是：在上述间隙保持部分上，用具有吸收上述半导体芯片与上述柔软基板之间的应力性质的构件，而且，使上述构件贴紧到上述半导体芯片和上述柔软基板的相对面上的办法，形成应力吸收层。

11、权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征是：

上述间隙保持部分是热可塑性的，

上述应力吸收层的形成工序含有对上述间隙保持部分加热加压的工序。

12、权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征是：在上述加压工序中，使上述间隙保持部分的加压位置渐渐偏移，连续地进行部分性地加压。

13、权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征是：上述间隙保持部分，仅仅设置在与上述柔软基板中的具有上述半导体芯片的电极的面相对配置的面一侧。

14、权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征是：

上述设置间隙保持部分的工序，包括形成设置在上述柔软基板中上述半导体芯片一侧面上的布线图形的工序，

在上述形成布线图形的工序中，先对所希望部位进行刻蚀，在一个上述布线图形上形成多个凸部。

15、权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征是：在上述柔软基板中的与上述凸部对应的位置上设贯通孔，在与上述柔软基板的设有上述布线图形的面相反一侧的面上，通过上述贯通孔设置上述外部电极。

16、权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其特征是：含有在作为上述间隙保持部分的上述凸部的至少与上述半导体芯片相对的位置上涂敷绝缘树脂的工序。

17、一种半导体器件，具有：

具有电极的半导体芯片；

柔软基板，配置在上述半导体芯片上边，与上述半导体芯片之间留有规定的间隙且重叠，同时，外部电极形成部分位于上述已重叠的区域内，该柔软基板具有与上述外部电极形成部分已电连的接合到上述半导体芯片的电极上的接合部分；

间隙保持部分，设于与上述外部端子形成部分对应的位置之外的位置上，同时，用于保持上述间隙。

18、权利要求17所述的半导体器件，其特征是：上述半导体芯片的有源区域位于上述柔软基板的上述重叠的区域内。