[发明专利]强电介质存储器件的数据读出方法及强电介质存储器件

权利要求书

1.一种强电介质存储器件的数据读出方法，其特征在于，所述强电介质存储器件备有：具有连接于字线的栅极和连接于位线的漏极的存储单元晶体管，具有连接于单元板极的第一电极和连接于所述存储单元晶体管源极的第二电极，并存有数据的强电介质电容器，和连接于所述位线的电位变更手段；

所述方法对将所述单元板极从第一电位转变到第二电位再从该第二电位转变到所述第一电位侧的一连串动作至少运行一次后，所述电位变更手段将所述位线的电位改变到预定值，并读出该预定值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述位线的位线电容值和/或所述强电介质存储器件的规定电源电压值来确定所述改变到预定值的操作是在所述单元板极的所述一连串操作之后进行，还是在从所述第一电位转变到所述第二电位后进行。

3.一种强电介质存储器件，其特征在于，备有：

具有连接于字线的栅极和连接于位线的漏极的存储单元晶体管；

转换至预定电位的单元板极；

具有连接于所述单元板极的第一电极和连接于所述存储单元晶体管源极的第二电极，并存储数据的强电介质电容器；

连接于所述位线的读出放大器；

将所述单元板极从所述第一电位转变至所述第二电位，再从该第二电位转变至所述第一电位侧后，控制所述读出放大器将所述位线的电位改变到预定值的控制手段。

4.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所谓转变至所述第一电压侧就是转变至所述第二电压，所述单元板极的所述第一电位与所述第二电位的电位差比所述读出放大器的驱动电压大。

5.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所谓转变至所述第一电压侧就是转变至所述第二电压，所述第一电位和所述第二电位对应于脉冲电压波形中的Lo电平的Hi电平，所述控制手段在所述字线为选择状态后对所述单元板极输出所述脉冲电压波形。

6.如权利要求3昕述的存储器件，其特征在于，向所述字线施加的电压为小于电源电压的电压。

7.如权利要求3所述的存储器件，其特征在于，所述控制手段在将所述单元板极从所述第一电位转变至所述第二电位后使所述字线为选择状态，然后将所述单元板极从所述第二电位转变至第一电位。

8.一种强电介质存储器件，其特征在于，备有：

栅极、漏极分别连接于字线、位线的存储单元晶体管，

第一电极、第二电极分别连接于单元板极、所述存储单元晶体管源极的强电介质电容器，

连接于所述位线的读出放大器，

检测预定电压的电压检测电路，和

根据所述检测电压控制驱动单元板极的控制电路；

所述控制电路根据所述电压检测电路的检测结果是否满足预定基准，切换到转变驱动所述单元板极的第一驱动模式或脉冲驱动所述板极的第二驱动模式。

9.如权利要求8所述的存储器件，其特征在于，所述字线的选择状态的电压为小于电源电压的电压。

10.一种强电介质存储器件，其特征在于，备有：

栅极、漏极分别连接于第一字线、第一位线的第一存储单元晶体管，

第一电极、第二电极分别连接于单元板板、所述第一存储单元晶体管的源极的第一强电介质电容器，

栅极、漏极分别连接于第二字线、第二位线的第二存储单元晶体管，

第三电极、第四电极分别连接于单元板极、所述第二存储单元晶体管的源极的第二强电介质电容器，

电连接于所述第一及第二位线的开关晶体管，和

连接于所述第一或第二位线的读出放大器；

选择所述第一和第二字线，在所述开关晶体管接通状态下，所述单元板极从第一电源压转变至第二电源电压，再转变至所述第一电源电压后，使所述开关晶体管呈截止状态。