[发明专利]元件角隅阈值在几何方面的控制

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

一个导电沟道，在周围环绕有沟槽结构的有源区内形成，导电沟道有一个基本上平面的表面；

在沟槽结构中形成的绝缘材料，具有一个与所述导电沟道的基本平面的表面同平面的表面；

一层栅氧化膜和一个栅电极，在所述导电沟道和所述绝缘材料上形成；且

所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述导电沟道在所述导电沟道与所述沟槽结构的界面侧的一部分延伸并填充所述凹陷。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的所述部分的一部分沿所述有源区的所述界面延伸。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的所述部分的一部分沿所述有源区内的所述界面延伸。

4.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的所述部分的一部分沿所述沟槽结构的一个区内的所述界面延伸。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述导电沟道的宽度小于1微米。

6.一种集成电路，包括一场效应晶体管，包括：

一个导电沟道，在周围环绕有沟槽结构的有源区内形成；

在沟槽结构中形成的绝缘材料；

在所述有源区与所述沟槽结构的界面上所述沟槽结构的所述绝缘材料中形成的凹陷；

一层栅氧化膜和一个栅电极，在所述导电沟道上形成；且

所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述导电沟道在所述导电沟道在所述导电沟道与所述沟槽结构的界面侧的一部分延伸并填充所述凹陷。

7.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极所述部分的一部分延所述有源区内的所述界面延伸。

8.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述沟槽结构的一个区内的所述界面延伸。

9.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述沟槽结构的一个区内的所述界面延伸。

10.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，所述导电沟道的宽度小于1微米。

11.一种制造包括一场效应晶体管的半导体元件的方法，所述方法包括下列步骤：

在所述半导体元件的基片上形成沟槽绝缘结构，所述沟槽绝缘结构包含在其中形成的绝缘材料，并有与所述有源区基本上同平面的表面；

在所述基片上的所述有源区的表面热氧化形成一个牺牲氧化层，所述有源区实质上是一个导流沟道，并由所述沟槽绝缘结构与其它有源区隔离，所述牺牲氧化层进一步在所述有源区和所述沟槽绝缘结构的以角形成，并在相邻的所述沟槽绝缘结构之间的所述有源区的整个表面上有圆形轮廓；

腐蚀所述有曲面的牺牲氧化层，以在位于所述有源区与所述沟槽绝缘结构之间的界面上的所述有源区形成一个圆化的角偶；

在所述导流沟道上以及在所述有源区的所述圆化角偶的周围形成一层氧化膜和栅电极，所述圆化角偶、所述氧化膜和所述栅电极提供有控制的阈值导流特性。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的一部分是热生成的。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，它还包括往所述基片的所述有源区内注入杂质的步骤。