[发明专利]两个操作室之间带可移动隔板的湿法处理装置

说明书

本发明涉及在半导体器件和液晶显示(LCD)板的制造中使用的湿法处理装置。

在半导体器件和液晶显示(LCD)板的制造中，去除污染的湿法处理工艺很重要，生产的成品率与之密切相关。一般来说，使用如氢氧化铵/过氧化氢水混合物(APM)等碱性溶液的湿法处理工艺可除去无机颗粒，使用如氢氟酸/过氧化氢水混合物(SPM)或盐酸/过氧化氢水混合物(HPM)等酸性溶液的湿法处理工艺可除去金属颗粒。同样，使用如异丙醇(IAP)等醇溶液的湿法处理工艺可除去有机颗粒，

以上提到的两个或更多的湿法处理工艺经常在一个湿法处理装置中进行。

现有技术的湿法处理装置由使用第一种化学试剂进行第一种工艺的第一操作室、使用第二种化学试剂进行第二种工艺的第二操作室，和位于第一和第二操作室之间用于接收纯水的分离池组成，隔板固定在第一和第二操作室之间，将第一操作室与第二操作室隔离开。此时，隔板的下端浸在分离池的纯水的液面下(参见JP-A-5-343387)。这将在后面进行详细的介绍。

在现有技术的湿法处理装置中，盛装晶片的晶片装载器要在分离池内由一个操作室移动到另一个操作室或反向移动，所以分离池的尺寸很大。这就增加了纯水的消耗量。此外，分离池内晶片的移动在晶片和纯水之间产生静电，所以晶片带电从而损坏了它的功能。

本发明的一个目的是减少湿法处理装置内纯水的消耗量。

本发明的另一目的是避免损坏湿法处理装置内处理的晶片的功能。

根据本发明，湿法处理装置包括使用第一种化学试剂进行第一种工艺的第一操作室、使用第二种化学试剂进行第二种工艺的第二操作室，和位于第一和第二操作室之间用于接收纯水的分离池。另外，可移动隔板设置在第一和第二操作室之间，将第一操作室与第二操作室隔离开。此时，可移动隔板的下端浸在分离池的纯水的液面下。因此，可以减小分离池的尺寸，从而减少纯水的消耗量。

此外，支承盛装晶片的装载器的支承座固定在分离池内。也就是，支承座在分离池内不能移动。其结果是，不会产生静电，因此晶片不会带电，所以可以避免损坏晶片的功能。

对比现有技术并结合附图可更清楚地理解下面介绍的本发明。

图1为现有技术湿法处理装置的示意图。

图2A、2B和2C为根据本发明湿法处理装置的一个实施例的示意图。

图3为图2A、2B和2C的装置部分切除的透视图。

图4为和现有技术相比，显示本发明效果的图表。

在介绍优选实施例之前，先结合图1介绍现有技术的湿法处理装置参见JP-A-5-343387)。

在图1中，参考标号1表示包括碱溶液池11和机械手12的碱环境操作室，2表示包括酸溶液池21和机械手22的酸环境操作室。此外，分离池3插在由隔板4隔离的操作室1和操作室2之间。

不断向分离池3提供纯水，所以不断有纯水从那里溢出。此外，隔板4的下端浸在分离池3的纯水的液面下。因此，操作室1完全与操作室2隔离，所以碱蒸汽很难侵入到操作室2中，而酸蒸汽也很难侵入到操作室1中。

此外，可移动支承座31安装在分离池3内，从而支承晶片装载器5。

下面介绍将晶片装载器5由操作室1移动到操作室2的操作过程。此时，支承座31位于分离池3内操作室1一侧。

首先，盛装晶片的装载器5由机械手12从碱溶液池11移到支承座31上。然后，机械手12回到碱溶液池11。

接下来，支承座31在分离池3内向操作室2移动。其结果是，晶片装载器5放置在分离池3内操作室2一侧。

最后，由机械手12将晶片装载器5由分离池3移到酸溶液池21中。

在图1的湿法处理装置中，由于晶片装载器5要在分离池内3由操作室1移动到操作室2或反向移动，所以分离池3的尺寸很大。例如，分离池3的宽度至少比晶片装载器5的宽度大两倍。这就增加了纯水的消耗量。特别是，当晶片的直径很大时，例如200mm到300mm，纯水的消耗量显著增加。

此外，分离池3内可移动支承座31的移动在晶片和具有很大电阻率的纯水之间产生静电，所以晶片带电从而损坏了它的功能。

在图示本发明的一个实施例的图2A、2B和2C中，图1的分离池3被修改为尺寸更小的分离池3’。此时，分离池3’大约为图1的分离池3的一半。此外，用安装在分离池3’内的支承座31’代替图1的可移动支承座31。

而且，用可移动的隔板4’代替图1的隔板4。可移动的隔板4’由汽缸或油缸(未显示)驱动的可移动机构4’a移动。此时，可移动机构4’a由感压箱(bellows)覆盖。