[发明专利]半导体加速度传感器无效
| 申请号: | 97102672.6 | 申请日: | 1997-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN1160206A | 公开(公告)日: | 1997-09-24 |
| 发明(设计)人: | 新荻正隆;齐藤丰;加藤健二 | 申请(专利权)人: | 株式会社精工电子研究开发中心 |
| 主分类号: | G01P15/00 | 分类号: | G01P15/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇,萧掬昌 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 加速度 传感器 | ||
1.含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于它包括:从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构;固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体;固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置;以及在设置了从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构的应变检测部分的表面上的多个桥路。
2.权利要求1提出的含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于,构成桥路的应变检测部分包括扩散电阻。
3.权利要求1提出的含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于,任何一个要求的桥路是由多个桥路选择出来的,并通过在构成桥路的扩散电阻附近提供固定装置而进行固定。
4.权利要求1提出的含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于,
静负荷加在从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构上。
5.含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于它包括:从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构;固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体;固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置;以及从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构的应变检测部分,应变检测部分设置在设置了该应变检测部分的表面的对称的位置上。
6.权利要求5提出的含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于,
静负荷加在从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构上。
7.含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于它包括:从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构;固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体;固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置;以及从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构的应变检测部分,应变检测部分设置在设置了该应变检测部分的表面中心位置上,而多个从应变检测部分输出输出值用的端子设置在对于应变检测部分是对称的位置上。
8.权利要求7提出的含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于,
静负荷加在从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构上。
9.含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于它包括:从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构;固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体;固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置;以及在设置了应变检测部分的表面上给输出端子提供的凸接点。
10.含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于它包括:从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构;固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体;以及固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置;一个各向异性导电膜用在固定装置上,使电导通和固定成为可能。
11.含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于它包括:从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构;固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体;以及固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置;一种低共熔合金藕合用在固定装置上,使电导通和固定成为可能。
12.权利要求9提出的含有半导体加速度传感器的半导体器件,其特征在于,该结构在设置了应变检测部分的表面上输出端子处具有凸接点,该结构直接固定在支持板的端子上。
13.含有半导体加速度传感器的半导体器件的支持板,它包括:从半导体晶片切割出来的具有应变检测部分的直角平行六面体型结构;固定和支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的支持体;以及固定该直角平行六面体的结构至少一端的装置;
支持板的特征在于,配置这样一种结构,使得它与支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的板垂直,该结构具有引线和输出端子。
14.一种制造半导体加速度传感器和半导体器件的方法,其特征在于,该结构的引线布置得与按权利要求13的支持从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构用的板垂直,并用银浆与从半导体晶片切割出来的直角平行六面体型结构的输出端子连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社精工电子研究开发中心,未经株式会社精工电子研究开发中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97102672.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





