[发明专利]直流电机的低电枢反应X型磁路结构无效

专利信息
申请号: 96114430.0 申请日: 1996-11-05
公开(公告)号: CN1068994C 公开(公告)日: 2001-07-25
发明(设计)人: 杨泰和 申请(专利权)人: 杨泰和
主分类号: H02K23/02 分类号: H02K23/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王忠忠,董江雄
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 直流电机 电枢 反应 磁路 结构
【说明书】:

发明涉及直流电机的低电枢反应X型磁路结构。

传统直流电机在磁场强度较低的高速运转状态,因电枢反应的交磁磁通增强而使磁场极轴偏移造成电刷火花加大及换向效率低落与异常发热。

本发明的目的是提供一种直流电机的低电枢反应X型磁路结构。

根据本发明的一种直流电机的低电枢反应X型磁路结构,藉由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构作相邻磁极联结,以构成两极或两极以上磁场磁通环路,在无碍磁场磁路结构的条件下,直流电机电枢反应的交磁磁通回路呈高磁阻状态以降低电枢反应,其特征在于,主要构成包含:

-由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构构成磁通环路的直流电机磁路结构,其各X型磁路结构的交叉部分为供设置不同极性的磁极结构,如永久磁极或绕组激磁式的磁极铁芯及激磁绕组,上述X型磁路结构各磁极间的磁路结构为基于平均或接近平均的磁场磁通密度的原则而决定其截面积,并呈沿极轴由中间向两端壳方向呈向外逐渐增大面积的磁路结构,以及在磁极间形成向外渐缩通孔或向内凹陷的盲孔或向外凹陷的盲孔或双向凹陷的盲孔,而构成X型磁路结构中供通过电枢反应交磁磁通磁路呈高阻抗。

本发明的直流电机低电枢反应X型磁路结构为藉由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构作相邻磁极联结,以构成磁场两极或两极以上磁通环路,在无碍磁场磁路结构条件下,直流电机电枢反应的交磁磁通回路呈高磁阻的结构状态,使交磁磁通受抑制进而改善换向效应,以及在保持交磁磁通回路呈高阻抗结构状态下,进一步在磁极间设置辅助分流磁路及换向磁极,此外,磁场磁极近端壳两端则可依需要选择呈缺口结构,以利通风及散热。

以下配合附图详细说明本发明的特征及优点:

图1为本发明的电机磁路结构呈向外渐缩通孔的实施例的立体示意图。

图2为图1的俯视剖面图。

图3为本发明的各通孔分别在外侧径向环形地设置的片状结构护壳的实施例的立体示意图。

图4为图1的电机磁路结构呈向内凹陷盲孔的实施例。

图5为图1的电机磁路结构呈向外凹陷盲孔的实施例。

图6为图1的电机磁路结构呈双向凹陷盲孔的实施例。

图7为本发明藉磁场磁极间设置呈通孔的纵向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通的实施例的俯视图。

图8为图7的前视剖面示意图。

图9为图7磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视剖面示意图。

图10为图7磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视剖面示意图。

图11为图7磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视剖面示意图。

图12为本发明磁极间的磁路加设呈通孔纵向沟槽及换向磁极的实施例的俯视图。

图13为图12的前视剖面示意图。

图14为图12磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视剖面示意图。

图15为图12磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视剖面示意图。

图16为图12磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视剖面示意图。

图17为本发明藉磁场磁极间设置呈通孔的斜向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通的实施例的俯视图。

图18为图17的前视图。

图19为图17磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。

图20为图17磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。

图21为图17磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视示意图。

图22为本发明磁极间的磁路加设呈通孔斜向沟槽及换向磁极的实施例的俯视图。

图23为图22的前视图。

图24为图22磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。

图25为图22磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。

图26为图22磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视示意图。

图27为本发明藉磁场磁极间设置呈通孔的横向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通的实施例的俯视图。

图28为图27的前视图。

图29为图27磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。

图30为图27磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。

图31为图27磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视示意图。

图32为本发明磁极间的磁路加设呈通孔横向沟槽及换向磁极的实施的例俯视图。

图33为图32的前视图。

图34为图32磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。

图35为图32磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨泰和,未经杨泰和许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/96114430.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top