[发明专利]直流电机的低电枢反应X型磁路结构无效
| 申请号: | 96114430.0 | 申请日: | 1996-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN1068994C | 公开(公告)日: | 2001-07-25 |
| 发明(设计)人: | 杨泰和 | 申请(专利权)人: | 杨泰和 |
| 主分类号: | H02K23/02 | 分类号: | H02K23/02 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王忠忠,董江雄 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 直流电机 电枢 反应 磁路 结构 | ||
本发明涉及直流电机的低电枢反应X型磁路结构。
传统直流电机在磁场强度较低的高速运转状态,因电枢反应的交磁磁通增强而使磁场极轴偏移造成电刷火花加大及换向效率低落与异常发热。
本发明的目的是提供一种直流电机的低电枢反应X型磁路结构。
根据本发明的一种直流电机的低电枢反应X型磁路结构,藉由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构作相邻磁极联结,以构成两极或两极以上磁场磁通环路,在无碍磁场磁路结构的条件下,直流电机电枢反应的交磁磁通回路呈高磁阻状态以降低电枢反应,其特征在于,主要构成包含:
-由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构构成磁通环路的直流电机磁路结构,其各X型磁路结构的交叉部分为供设置不同极性的磁极结构,如永久磁极或绕组激磁式的磁极铁芯及激磁绕组,上述X型磁路结构各磁极间的磁路结构为基于平均或接近平均的磁场磁通密度的原则而决定其截面积,并呈沿极轴由中间向两端壳方向呈向外逐渐增大面积的磁路结构,以及在磁极间形成向外渐缩通孔或向内凹陷的盲孔或向外凹陷的盲孔或双向凹陷的盲孔,而构成X型磁路结构中供通过电枢反应交磁磁通磁路呈高阻抗。
本发明的直流电机低电枢反应X型磁路结构为藉由一体结构或组合结构并呈与磁场磁极数相同的X型磁路结构作相邻磁极联结,以构成磁场两极或两极以上磁通环路,在无碍磁场磁路结构条件下,直流电机电枢反应的交磁磁通回路呈高磁阻的结构状态,使交磁磁通受抑制进而改善换向效应,以及在保持交磁磁通回路呈高阻抗结构状态下,进一步在磁极间设置辅助分流磁路及换向磁极,此外,磁场磁极近端壳两端则可依需要选择呈缺口结构,以利通风及散热。
以下配合附图详细说明本发明的特征及优点:
图1为本发明的电机磁路结构呈向外渐缩通孔的实施例的立体示意图。
图2为图1的俯视剖面图。
图3为本发明的各通孔分别在外侧径向环形地设置的片状结构护壳的实施例的立体示意图。
图4为图1的电机磁路结构呈向内凹陷盲孔的实施例。
图5为图1的电机磁路结构呈向外凹陷盲孔的实施例。
图6为图1的电机磁路结构呈双向凹陷盲孔的实施例。
图7为本发明藉磁场磁极间设置呈通孔的纵向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通的实施例的俯视图。
图8为图7的前视剖面示意图。
图9为图7磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视剖面示意图。
图10为图7磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视剖面示意图。
图11为图7磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视剖面示意图。
图12为本发明磁极间的磁路加设呈通孔纵向沟槽及换向磁极的实施例的俯视图。
图13为图12的前视剖面示意图。
图14为图12磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视剖面示意图。
图15为图12磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视剖面示意图。
图16为图12磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视剖面示意图。
图17为本发明藉磁场磁极间设置呈通孔的斜向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通的实施例的俯视图。
图18为图17的前视图。
图19为图17磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。
图20为图17磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。
图21为图17磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视示意图。
图22为本发明磁极间的磁路加设呈通孔斜向沟槽及换向磁极的实施例的俯视图。
图23为图22的前视图。
图24为图22磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。
图25为图22磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。
图26为图22磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视示意图。
图27为本发明藉磁场磁极间设置呈通孔的横向沟槽以抑制电枢反应交磁磁通的实施例的俯视图。
图28为图27的前视图。
图29为图27磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。
图30为图27磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。
图31为图27磁极间磁路结构呈双向凹陷盲孔的前视示意图。
图32为本发明磁极间的磁路加设呈通孔横向沟槽及换向磁极的实施的例俯视图。
图33为图32的前视图。
图34为图32磁极间磁路结构呈向内凹陷盲孔的前视示意图。
图35为图32磁极间磁路结构呈向外凹陷盲孔的前视示意图。
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